| a: |
Wirksame Fläche - Strahlungsempfindliche Fläche
|
|---|
|
Effective Area - Sensitive Area
|
|
| Base: |
Anschlussschema
|
|---|
|
Pin Connection Diagram
|
|
bfb:
b21b: |
Übertragungssuszeptanz vorwärts, in Basisschaltung.
Imaginärteil der Vorwärtssteilheit y21b = g21b + j x b21b, enthält die Übertragungskapazität: b21b =  x C21b
|
|---|
|
Small-Signal Common-Base Short-Circuit Forward Transfer Susceptance.
Imaginary Component of Forward Transfer Admittance y21b = g21b + j x b21b, includes Transfer Capacitance: b21b = x C21b
|
|
bfe:
b21e: |
Übertragungssuszeptanz vorwärts, in Emitterschaltung.
Imaginärteil der Vorwärtssteilheit y21e = g21e + j x b21e, enthält die Übertragungskapazität: b21e = x C21e
|
|---|
|
Small-Signal Emitter-Base Short-Circuit Forward Transfer Susceptance.
Imaginary Component of Forward Transfer Admittance y21e = g21e + j x b21e, includes Transfer Capacitance: b21e = x C21e
|
|
bib:
b11b: |
Kurzschluss-Eingangssuszeptanz in Basisschaltung.
Imaginärteil der Eingangsadmittanz y11b = g11b + j x b11b, enthält die Eingangskapazität: b11b = x C11b
|
|---|
|
Small-Signal Common-Base Input Susceptance.
Imaginary Component of Input Admittance y11b = g11b + j x b11b, includes Input Capacitance: b11b = x C11b
|
|
bie:
b11e: |
Kurzschluss-Eingangssuszeptanz in Emitterschaltung.
Imaginärteil der Eingangsadmittanz y11e = g11e + j x b11e, enthält die Eingangskapazität: b11e = x C11e
|
|---|
|
Small-Signal Common-Emitter Input Susceptance.
Imaginary Component of Input Admittance y11e = g11e + j x b11e, includes Input Capacitance: b11e = x C11e
|
|
bob:
b22b: |
Kurzschluss-Ausgangssuszeptanz in Basisschaltung.
Imaginärteil der Ausgangsadmittanz y22b = g22b + j x b22b, enthält die Ausgangskapazität: b22b = x C22b
|
|---|
|
Small-Signal Common-Base Output Susceptance.
Imaginary Component of Output Admittance y22b = g22b + j x b22b, includes Ouput Capacitance: b22b = x C22b
|
|
boe:
b22e: |
Kurzschluss-Ausgangssuszeptanz in Emitterschaltung.
Imaginärteil der Ausgangsadmittanz y22e = g22e + j x b22e, enthält die Ausgangskapazität: b22e = x C22e
|
|---|
|
Small-Signal Common-Emitter Output Susceptance.
Imaginary Component of Output Admittance y22e = g22e + j x b22e, includes Ouput Capacitance: b22e = x C22e
|
|
brb:
b12b: |
Übertragungssuszeptanz rückwärts, in Basisschaltung.
Imaginärteil der Rückwärtssteilheit y12b = g12b + j x b12b, enthält die Rückwirkungskapazität: b12b = x C12b
|
|---|
|
Small-Signal Common-Base Short-Circuit Reverse Transfer Susceptance.
Imaginary Component of Reverse Transfer Admittance y12b = g12b + j x b12b, includes Feedback Capacitance: b12b = x C12b
|
|
bre:
b12e: |
Übertragungssuszeptanz rückwärts, in Emitterschaltung.
Imaginärteil der Rückwärtssteilheit y12e = g12e + j x b12e, enthält die Rückwirkungskapazität: b12e = x C12e
|
|---|
|
Small-Signal Common-Emitter Short-Circuit Reverse Transfer Susceptance.
Imaginary Component of Reverse Transfer Admittance y12e = g12e + j x b12e, includes Feedback Capacitance: b12e = x C12e
|
|
| BW: |
Bandbreite (–3dB) - Frequenzgang
|
|---|
|
Bandwidth (–3dB) - Frequency Response
|
|
 C: |
Kapazitätsänderung
|
|---|
|
Capacitance Change
|
|
| C/T: |
Temperaturkoeffizient der Kapazität
|
|---|
|
Capacitance Temperature Coefficient
|
|
| C1: |
Kondensator Nr.1 (Eingangskreis oder obere Sektion) - Eingangskondensator (Koppelkondensator)
|
|---|
|
Capacitor No.1 (Input Circuit or Upper Section) - Input Capacitor (Coupling or Blocking Capacitor)
|
|
| C2: |
Kondensator Nr.2 (Ausgangskreis oder untere Sektion) - Ausgangskondensator (Koppelkondensator)
|
|---|
|
Capacitor No.2 (Output Circuit or Lower Section) - Output Capacitor (Coupling or Blocking Capacitor)
|
|
| Case: |
Gehäuseform und Anschlussbild
|
|---|
|
Case Outline and Connection Diagram
|
|
| CB: |
Basis-Koppelkondensator
|
|---|
|
Base Coupling Capacitor
|
|
| Cb'c: |
Kollektor-Sperrschichtkapazität - Ausgangskapazität
|
|---|
|
Collector Capacitance - Output Capacitance
|
|
| Cc: |
Kollektorkapazität
|
|---|
|
Collector Capacitance
|
|
| CCB: |
Kollektor-Basis-Kapazität
|
|---|
|
Collector-to-Base Capacitance
|
|
| CCBO: |
Kollektor-Basis-Kapazität bei offenem Emitter (IE=0)
|
|---|
|
Collector-to-Base Capacitance at Open Emitter (IE=0)
|
|
| Ccc: |
Kapazität zwischen Kollektor und Gehäuse
|
|---|
|
Collector-to-Case Capacitance
|
|
| Ce: |
Emitterkapazität
|
|---|
|
Emitter Capacitance
|
|
| CEBO: |
Emitter-Basis-Kapazität bei offenem Kollektor (Ic=0)
|
|---|
|
Emitter-to-Base Capacitance at Open Collector (Ic=0)
|
|
| Cgd: |
Drain-Gate-Kapazität
|
|---|
|
Drain-Gate Capacitance
|
|
| Cgs: |
Gate-Source-Kapazität
|
|---|
|
Gate-Source Capacitance
|
|
Cib:
C11b: |
Eingangskapazität in Basisschaltung
|
|---|
|
Common-Base Input Capacitance
|
|
Cibo:
Cib: |
Eingangskapazität bei offenem Kollektor (Ic=0)
|
|---|
|
Input Capacitance at Open Collector (Ic=0)
|
|
Cie:
C11e: |
Eingangskapazität in Emitterschaltung
|
|---|
|
Common-Emitter Input Capacitance
|
|
| CIN: |
Äquivalente Parallel-Eingangskapazität
|
|---|
|
Parallel Equivalent Input Capacitance
|
|
| Ciss: |
Eingangskapazität in Source-Schaltung bei Gate-Source-Gleichspannung UGS=0
|
|---|
|
Common-Source Input Capacitance at Zero DC Gate-Source Voltage (UGS=0)
|
|
| CKL: |
Ladekondensator
|
|---|
|
Filter-Input Capacitor
|
|
| CL: |
Lastkapazität - Kapazitive Last
|
|---|
|
Load Capacitance - Capacitive Load
|
|
| CM/Co: |
Verhältnis von maximaler durch minimale Kapazität bei Kapazitätsdioden
|
|---|
|
Maximum by Minimum Capacitance Ratio of Variable-Capacitance Diodes
|
|
| CMD: |
Kreuzmodulationsverzerrungen
|
|---|
|
Cross-Modulation Distortion
|
|
Cob:
C22b: |
Ausgangskapazität in Basisschaltung, Eingang kurzgeschlossen
|
|---|
|
Common-Base Output Capacitance
|
|
Cobo:
Cob: |
Ausgangskapazität bei offenem Emitter (IE=0)
|
|---|
|
Output Capacitance at Open Emitter (IE=0)
|
|
| Co/CM: |
Verhältnis von minimaler durch maximale Kapazität bei Kapazitätsdioden
|
|---|
|
Minimum by Maximum Capacitance Ratio of Variable-Capacitance Diodes
|
|
Coe:
C22e: |
Ausgangskapazität in Emitterschaltung
|
|---|
|
Common-Emitter Output Capacitance
|
|
| Coss: |
Ausgangskapazität in Source-Schaltung bei Gate-Source-Gleichspannung UGS=0
|
|---|
|
Common-Source Output Capacitance at Zero DC Gate-Source Voltage (UGS=0)
|
|
| COUT: |
Äquivalente Parallel-Ausgangskapazität
|
|---|
|
Parallel Equivalent Output Capacitance
|
|
| CP: |
Parallelkondensator - Transientenschutz-Kondensator
|
|---|
|
Parallel Capacitor - Transient Protection Capacitor
|
|
| CR: |
Diodenkapazität in Sperrrichtung
|
|---|
|
Diode Capacitance at Reverse Bias
|
|
Crb:
C12b: |
Rückwirkungskapazität in Basisschaltung
|
|---|
|
Common-Base Reverse Transfer Capacitance - Feedback Capacitance
|
|
Cre:
C12e: |
Rückwirkungskapazität in Emitterschaltung
|
|---|
|
Common-Emitter Reverse Transfer Capacitance - Feedback Capacitance
|
|
| Cres: |
Kapazität im Resonanzkreis
|
|---|
|
Resonating Circuit Capacitance
|
|
| Crss: |
Rückwirkungskapazität in Source-Schaltung bei Gate-Source-Gleichspannung UGS=0
|
|---|
|
Common-Source Reverse Transfer Capacitance at Zero DC Gate-Source Voltage (UGS=0)
|
|
| CT: |
Gesamtkapazität
|
|---|
|
Total Capacitance
|
|
| CTR: |
Koppelfaktor (Stromübertragungsverhältnis) eines Optokopplers
|
|---|
|
Current Transfer Ratio of a photocoupler
|
|
| CTV: |
Gesamtkapazität im Talspannungsminimum
|
|---|
|
Total Valley-Point Capacitance
|
|
| CV: |
Kapazität im Talspannungsminimum
|
|---|
|
Valley-Point Capacitance
|
|
| d: |
Abstand
|
|---|
|
Distance
|
|
| DI: |
Lineare Reduktion des zulässigen Stromes bei erhöhter Temperatur
|
|---|
|
Current Derating at Increased Temperature
|
|
| -di/dt: |
Stromsteilheit
|
|---|
|
Current Slope
|
|
| diF/dt: |
Stromsteilheit in Durchlassrichtung
|
|---|
|
Forward Current Slope
|
|
| diT/dt: |
Stromsteilheit in Durchlassrichtung des Thyristors
|
|---|
|
Forward Current Slope of Thyristor
|
|
| dI/dt: |
Stromsteilheit
|
|---|
|
Current Slope
|
|
| Dim: |
Dimension, Einheit
|
|---|
|
Dimension
|
|
| DP: |
Lineare Reduktion der Verlustleistung bei erhöhter Temperatur
|
|---|
|
Power Dissipation Derating at increased temperature
|
|
| DPA: |
Lineare Reduktion der Verlustleistung bei erhöhter Temperatur, bedingt durch den Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Umgebung (DPA = 1 / RthJA)
|
|---|
|
Power Dissipation Derating at increased temperature due to the thermal resistance between junction and ambient (DPA = 1 / RthJA)
|
|
| DPC: |
Lineare Reduktion der Verlustleistung bei erhöhter Temperatur, bedingt durch den Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Gehäuse (DPC = 1 / RthJC)
|
|---|
|
Power Dissipation Derating at increased temperature due to the thermal resistance between junction and case (DPC = 1 / RthJC)
|
|
| DU: |
Lineare Reduktion der zulässigen Spannung bei erhöhter Temperatur
|
|---|
|
Voltage Derating at Increased Temperature
|
|
| EA: |
Lawinenenergie (auch periodisch, wen Tastverhältnis angegeben)
|
|---|
|
Avalanche Energy (also repetitive if duty cycle specified)
|
|
| EAR: |
Periodische Lawinenenergie
|
|---|
|
Repetitive Avalanche Energy
|
|
| EAS: |
Einmalige Lawinenenergie
|
|---|
|
Single, Non-Repetitive Avalanche Energy (Surge)
|
|
| EM: |
Spitzenenergie
|
|---|
|
Peak Energy
|
|
| EM (HF): |
HF-Spitzenenergie
|
|---|
|
RF Peak Energy
|
|
| E (SB): |
Energie zum zweiten Durchbruch mit Basis-Emitter-Vorspannung in Sperrrichtung
|
|---|
|
Second-Breakdown Energy with Base Reverse Biased
|
|
| E (SB)O: |
Energie zum zweiten Durchbruch bei offener Basis
|
|---|
|
Second-Breakdown Energy with Base Open
|
|
| E (SB)R: |
Energie zum zweiten Durchbruch mit spezifiziertem Widerstand zwischen Basis und Emitter
|
|---|
|
Second-Breakdown Energy - Specified Base-Emitter Resistance
|
|
| E (SB)X: |
Energie zum zweiten Durchbruch bei spezifiziertem Widerstand RBE zwischen Basis und Emitter und spezifizierter Basis-Sperrspannung UBE(OFF) 
|
|---|
Second-Breakdown Energy - Specified Base-Emitter Resistance RBE and Base Reverse Voltage UBE(OFF) 
|
|
| eta: |
Kollektorwirkungsgrad = POUT / (Ucc x Ic)
|
|---|
|
Collector Efficiency = POUT / (Ucc x Ic)
|
        
   
    
 
|
|
| f: |
Arbeitsfrequenz
|
|---|
|
Operating Frequency
|
 
|
|
| f: |
Frequenzvariation - Bandbreite
|
|---|
|
Frequency Variation - Bandwidth
|
|
|
| fLO: |
Frequenzabweichung des Hauptoszillators, Mischoszillators
|
|---|
|
Frequency Deviation of the Local Oscillator
|
|
F:
NF: |
Rauschzahl
|
|---|
|
Noise Factor - Noise Figure
|
|
Facteur de bruit
|
 
|
|
F:
NF: |
Rauschzahl in Source-Schaltung
|
|---|
|
Common-Source Noise Figure
|
|
| Fc: |
Mischrauschzahl
|
|---|
|
Conversion Noise Figure
|
|
| fhfb: |
Grenzfrequenz der Kurzschluss-Stromverstärkung in Basisschaltung
|
|---|
|
Common-Base Small-Signal Short-Circuit Forward Current Transfer Ratio Cut-Off Frequency
|
|
| fhfe: |
Grenzfrequenz der Kurzschluss-Stromverstärkung in Emitterschaltung
|
|---|
|
Common-Emitter Small-Signal Short-Circuit Forward Current Transfer Ratio Cut-Off Frequency
|
|
| FIF: |
Rauschzahl des ZF-Verstärkers
|
|---|
|
Noise Figure of the IF Amplifier
|
|
| fIF: |
Zwischenfrequenz
|
|---|
|
Intermediate Frequency
|
|
| fm: |
Modulationsfrequenz
|
|---|
|
Modulation Frequency
|
|
| fmax: |
Obere Grenzfrequenz - Maximal nutzbare Arbeitsfrequenz
|
|---|
|
Cut-Off Frequency - Maximum Usable Operating Frequency
|
|
| fmax: |
Schwingrenzfrequenz
|
|---|
|
Maximum Oscillating Frequency
|
|
Fréquence d'oscillation maximale
|
|
| fP: |
Pulsfolgefrequenz
|
|---|
|
Pulse Frequency
|
|
| fr: |
Serienresonanzfrequenz
|
|---|
|
Series-Resonant Frequency
|
|
| fRF: |
Radiofrequenz
|
|---|
|
Radio Frequency
|
|
| fT: |
Transitfrequenz
|
|---|
|
Transition Frequency - Current-Gain-Bandwidth Product
|
|
Fréquence de transition
|
|
|
fy21s:
fyfs: |
Grenzfrequenz für Abfall der Vorwärtssteilheit in Source-Schaltung auf 70 % des Wertes bei 1 kHz (-3 dB)
|
|---|
|
Common-Source Forward Transfer Admittance Cut-Off Frequency to 70 % of the value at 1 kHz (-3 dB)
|
|
| Gc: |
Mischverstärkung
|
|---|
|
Conversion Gain
|
|
gfb:
g21b: |
Vorwärtssteilheit, Übertragungsleitwert vorwärts, in Basisschaltung (Realteil der Übertragungsadmittanz vorwärts y21b = g21b + j x b21b)
|
|---|
|
Small-Signal Common-Base Short-Circuit Forward Transconductance (Real Component of Forward Transfer Admittance y21b = g21b + j x b21b)
|
|
gfe:
g21e: |
Vorwärtssteilheit, Übertragungsleitwert vorwärts, in Emitterschaltung (Realteil der Übertragungsadmittanz vorwärts y21e = g21e + j x b21e)
|
|---|
|
Small-Signal Common-Emitter Short-Circuit Forward Transconductance (Real Component of Forward Transfer Admittance y21e = g21e + j x b21e)
|
|
| gFE: |
Gleichstrom-Steilheit in Emitterschaltung
|
|---|
|
Common-Emitter DC Transconductance
|
|
| gfg: |
Vorwärts-Steilheit in Gate-Schaltung, Re(yfg) (Realteil der Übertragungsadmittanz vorwärts y21g = g21g + j x b21g)
|
|---|
|
Common-Gate Forward Transconductance, Re(yfg) (Real Component of Forward Transfer Admittance y21g = g21g + j x b21g)
|
|
| gfs: |
Vorwärts-Steilheit in Source-Schaltung - Übertragungssteilheit, Re(yfs) (Realteil der Übertragungsadmittanz vorwärts y21s = g21s + j x b21s)
|
|---|
|
Common-Source Forward Transconductance, Re(yfs) (Real Component of Forward Transfer Admittance y21s = g21s + j x b21s)
|
|
| GFS: |
Statische Vorwärts-Steilheit in Source-Schaltung - Übertragungssteilheit
|
|---|
|
Static Common-Source Forward Transconductance
|
|
| gG: |
Generator-Ausgangsleitwert
|
|---|
|
Generator Output Conductance
|
|
| Gi: |
Kleinsignal-Stromverstärkung
|
|---|
|
Small-Signal Insertion Current Gain
|
|
gib:
g11b: |
Kurzschluss-Eingangsleitwert in Basisschaltung (Realteil der Eingangsadmittanz y11b = g11b + j x b11b)
|
|---|
|
Small-Signal Common-Base Input Conductance (Real Component of Input Admittance y11b = g11b + j x b11b)
|
|
1/gib:
1/g11b: |
Eingangswiderstand in Basisschaltung (Realteil), Ausgang kurzgeschlossen
|
|---|
|
Small-Signal Common-Base Input Resistance (Real Component)
|
|
gie:
g11e: |
Kurzschluss-Eingangsleitwert in Emitterschaltung (Realteil der Eingangsadmittanz y11e = g11e + j x b11e)
|
|---|
|
Small-Signal Common-Emitter Input Conductance (Real Component of Input Admittance y11e = g11e + j x b11e)
|
|
1/gie:
1/g11e: |
Eingangswiderstand in Emitterschaltung (Realteil), Ausgang kurzgeschlossen
|
|---|
|
Small-Signal Common-Emitter Input Resistance (Real Component)
|
|
gig:
g11g: |
Kurzschluss-Eingangsleitwert in Gate-Schaltung, Re(yig) (Realteil der Eingangsadmittanz y11g = g11g + j x b11g)
|
|---|
|
Common-Gate Input Conductance Re(yig) (Real Component of Input Admittance y11g = g11g + j x b11g)
|
|
| gigs: |
Kurzschluss-Eingangsleitwert in Gate-Schaltung
|
|---|
|
Common-Gate Input Conductance
|
|
gis:
g11s: |
Kurzschluss-Eingangsleitwert in Source-Schaltung, Re(yis) (Realteil der Eingangsadmittanz y11s = g11s + j x b11s)
|
|---|
|
Common-Source Input Conductance, Re(yis) (Real Component of Input Admittance y11s = g11s + j x b11s)
|
|
| giss: |
Kurzschluss-Eingangsleitwert in Source-Schaltung
|
|---|
|
Common-Source Input Conductance
|
|
| GK: |
Gegenkopplung
|
|---|
|
Negative Feedback
|
|
| gL: |
Lastleitwert
|
|---|
|
Load Conductance
|
|
| gm: |
Innerer Leitwert
|
|---|
|
Mutual Conductance
|
|
gob:
g22b: |
Kurzschluss-Ausgangsleitwert in Basisschaltung (Realteil der Ausgangsadmittanz y22b = g22b + j x b22b)
|
|---|
|
Small-Signal Common-Base Output Conductance (Real Component of Output Admittance y22b = g22b + j x b22b)
|
|
1/gob:
1/g22b: |
Ausgangswiderstand in Basisschaltung (Realteil)
|
|---|
|
Small-Signal Common-Base Output Resistance (Real Component)
|
|
goe:
g22e: |
Kurzschluss-Ausgangsleitwert in Emitterschaltung (Realteil der Ausgangsadmittanz y22e = g22e + j x b22e)
|
|---|
|
Small-Signal Common-Emitter Output Conductance (Real Component of Output Admittance y22e = g22e + j x b22e)
|
|
1/goe:
1/g22e: |
Ausgangswiderstand in Emitterschaltung (Realteil)
|
|---|
|
Small-Signal Common-Emitter Output Resistance (Real Component)
|
|
gog:
g22g: |
Kurzschluss-Ausgangsleitwert in Gate-Schaltung, Re(yog) (Realteil der Ausgangsadmittanz y22g = g22g + j x b22g)
|
|---|
|
Common-Gate Output Conductance, Re(yog) (Real Component of Output Admittance y22g = g22g + j x b22g)
|
|
| gogs: |
Kurzschluss-Ausgangsleitwert in Gate-Schaltung
|
|---|
|
Common-Gate Output Conductance
|
|
gos:
g22s: |
Kurzschluss-Ausgangsleitwert in Source-Schaltung, Re(yos) (Realteil der Ausgangsadmittanz y22s = g22s + j x b22s)
|
|---|
|
Common-Source Output Conductance, Re(yos) (Real Component of Output Admittance y22s = g22s + j x b22s)
|
|
| goss: |
Kurzschluss-Ausgangsleitwert in Source-Schaltung
|
|---|
|
Common-Source Output Conductance
|
|
| Gp: |
Kleinsignal-Leistungsverstärkung
|
|---|
|
Small-Signal Insertion Power Gain
|
|
| GP: |
Grosssignal-Leistungsverstärkung
|
|---|
|
Large-Signal Insertion Power Gain
|
|
| GPb: |
Leistungsverstärkung in Basisschaltung
|
|---|
|
Common-Base Power Gain
|
|
| GPb: |
Änderung der Leistungsverstärkung in Basisschaltung
|
|---|
|
Change of Common-Base Power Gain
|
|
| GPb (OPT): |
Optimal erzielbare Leistungsverstärkung in Basisschaltung, GPb (OPT) = |y21b|² / ( 4 x g11b x g22b )
|
|---|
|
Obtainable Common-Base Power Gain, GPb (OPT) = |y21b|² / ( 4 x g11b x g22b )
|
|
| GPe: |
Leistungsverstärkung in Emitterschaltung
|
|---|
|
Common-Emitter Power Gain
|
|
| GPe (OPT): |
Erzielbare Leistungsverstärkung in Emitterschaltung, GPe (OPT) = |y21e|² / ( 4 x g11e x g22e )
|
|---|
|
Obtainable Common-Emitter Power Gain, GPe (OPT) = |y21e|² / ( 4 x g11e x g22e )
|
|
| GPE: |
Grosssignal-Leistungsverstärkung in Emitterschaltung
|
|---|
|
Large-Signal Common-Emitter Insertion Power Gain
|
|
| GPg: |
Kleinsignal-Leistungsverstärkung in Gate-Schaltung
|
|---|
|
Small-Signal Common-Gate Insertion Power Gain, Common-Gate Power Gain
|
|
| GPn: |
Leistung-Störabstand - Brumm- und Rauschpegel unterhalb der Ausgangsleistung
|
|---|
|
Signal-to-Noise Power Ratio - Hum and Noise Level below Output Power
|
|
| GPrb: |
Leistungsverstärkung rückwärts in Basisschaltung
|
|---|
|
Common-Base Reverse Power Gain
|
|
| GPs: |
Kleinsignal-Leistungsverstärkung in Source-Schaltung
|
|---|
|
Small-Signal Common-Source Power Gain
|
|
grb:
g12b: |
Rückwärtssteilheit, Übertragungsleitwert rückwärts, in Basisschaltung (Realteil der Übertragungsadmittanz rückwärts y12b = g12b + j x b12b)
|
|---|
|
Small-Signal Common-Base Short-Circuit Reverse Transfer Conductance (Real Component of Reverse Transfer Admittance y12b = g12b + j x b12b)
|
|
1/grb:
1/g12b: |
Rückwirkungswiderstand in Basisschaltung (Realteil)
|
|---|
|
Small-Signal Common-Base Reverse Transfer Resistance (Real Component)
|
|
gre:
g12e: |
Rückwärtssteilheit, Übertragungsleitwert rückwärts, in Emitterschaltung (Realteil der Übertragungsadmittanz rückwärts y12e = g12e + j x b12e)
|
|---|
|
Small-Signal Common-Emitter Short-Circuit Reverse Transfer Conductance (Real Component of Reverse Transfer Admittance y12e = g12e + j x b12e)
|
|
1/gre:
1/g12e: |
Rückwirkungswiderstand in Emitterschaltung (Realteil)
|
|---|
|
Small-Signal Common-Emitter Reverse Transfer Resistance (Real Component)
|
|
| grs: |
Rückwärts-Steilheit in Source-Schaltung, Re(yrs) (Realteil der Übertragungsadmittanz rückwärts y12s = g12s + j x b12s)
|
|---|
|
Common-Source Reverse Transfer Conductance, Re(yrs) (Real Component of Reverse Transfer Admittance y12s = g12s + j x b12s)
|
|
| Gu: |
Änderung der Spannungsverstärkung - Frequenzgang
|
|---|
|
Change of Voltage Gain - Frequency Response
|
|
| Gue: |
Spannungsverstärkung in Emitterschaltung
|
|---|
|
Common-Emitter Voltage Gain
|
|
hfb:
h21b: |
Kurzschluss-Stromverstärkung in Basisschaltung
|
|---|
|
Small-Signal Common-Base Short-Circuit Forward-Current Transfer Ratio
|
|
hfe:
h21e: |
Kurzschluss-Stromverstärkung in Emitterschaltung
|
|---|
|
Small-Signal Common-Emitter Short-Circuit Forward-Current Transfer Ratio
|
|
|
|
hFE:
h21E: |
Gleichstromverstärkung in Emitterschaltung
|
|---|
|
Common-Emitter DC Current Gain
|
|
| hFE2/hFE1: |
Gleichstromverstärkungs-Verhältnis in Emitterschaltung bei verschiedenen Arbeitspunkten
|
|---|
|
Common-Emitter DC Current Gain Ratio at Different Bias Conditions
|
|
hib:
h11b: |
Kurzschluss-Eingangswiderstand in Basisschaltung
|
|---|
|
Small-Signal Common-Base Short-Circuit Input Impedance
|
|
hie:
h11e: |
Kurzschluss-Eingangswiderstand in Emitterschaltung
|
|---|
|
Small-Signal Common-Emitter Short-Circuit Input Impedance
|
|
hIE:
h11E: |
Statischer Eingangswiderstand in Emitterschaltung
|
|---|
|
Common-Emitter Static Input Resistance
|
|
Re(hie):
Re(h11e): |
Eingangswiderstand - Realteil der Kurzschluss-Eingangsimpedanz in Emitterschaltung
|
|---|
|
Input Resistance - Real Part of Small-Signal Common-Emitter Short-Circuit Input Impedance
|
|
hob:
h22b: |
Leerlauf-Ausgangsleitwert in Basisschaltung
|
|---|
|
Small-Signal Common-Base Open-Circuit Output Admittance
|
|
hoe:
h22e: |
Leerlauf-Ausgangsleitwert in Emitterschaltung
|
|---|
|
Small-Signal Common-Emitter Open-Circuit Output Admittance
|
|
hrb:
h12b: |
Leerlauf-Spannungsrückwirkung in Basisschaltung
|
|---|
|
Small-Signal Common-Base Open-Circuit Reverse-Voltage Transfer Ratio
|
|
|hrb|:
|h12b|: |
Betrag der Leerlauf-Spannungsrückwirkung in Basisschaltung
|
|---|
|
Magnitude of Small-Signal Common-Base Open-Circuit Reverse-Voltage Transfer Ratio
|
|
|hrb|/:
|h12b|/: |
Kollektor-Rückwirkungs-Zeitkonstante (in Basisschaltung)
|
|---|
|
Common-Base Collector Reverse Transfer Time Constant
|
|
hre:
h12e: |
Leerlauf-Spannungsrückwirkung in Emitterschaltung
|
|---|
|
Small-Signal Common-Emitter Open-Circuit Reverse-Voltage Transfer Ratio
|
|
| I2: |
Sekundärer Strom - Treiberstrom
|
|---|
|
Secondary Current - Driver Current
|
|
| IAR: |
Periodischer Lawinenstrom
|
|---|
|
Repetitive Avalanche Current
|
|
| IB: |
Basisstrom
|
|---|
|
Base Current
|
|
Courant de base
|
|
|
|
| IBB: |
Eingangsfehlstrom, äquivalenter Driftstrom |IB1-IB2| wenn UBE1=UBE2 (beim Differenzverstärker)
|
|---|
|
Input Offset Current, Equivalent Drift Current (Differential Amplifier)
|
|
| IBB/T: |
Temperaturkoeffizient des Eingangsfehlstroms, äquivalenten Driftstromes (beim Differenzverstärker)
|
|---|
|
Input Offset Current, Equivalent Drift Current Temperature Coefficient (Differential Amplifier)
|
|
| IBEV: |
Basis-Sperrstrom bei spezifizierter Basis-Sperrspannung UBE(OFF)
|
|---|
|
Base-Cutoff Current - Specified Base Reverse-Bias Voltage UBE(OFF)
|
|
| IBF: |
Basisstrom in Durchlassrichtung
|
|---|
|
Base Forward Current
|
|
| IBFM: |
Scheitelwert des Basisstroms in Durchlassrichtung
|
|---|
|
Peak Base Forward Current
|
|
| IBM: |
Scheitelwert des Basisstroms
|
|---|
|
Peak Base Current
|
|
Courant de base crête
|
|
| IB(OFF): |
Basis-Ausräumstrom - Ausschalt-Basisstrom - Basisstrom im gesperrten Zustand
|
|---|
|
Switch-Off Base Current - Off-State Base Current
|
|
| IB(ON): |
Einschalt-Basisstrom - Basisstrom im leitenden Zustand
|
|---|
|
Switch-On Base Current - On-State Base Current
|
|
| IBR: |
Basisstrom in Sperrrichtung
|
|---|
|
Base Reverse Current
|
|
| IBMR: |
Scheitelwert des Basisstroms in Sperrrichtung - Basis-Ausschaltstrom
|
|---|
|
Peak Base Reverse Current - Base turn-off current
|
|
| I(BR)RM: |
Scheitelwert des Durchbruchstroms in Sperrrichtung
|
|---|
|
Peak Reverse Breakdown Current
|
|
| Ic: |
Kollektorstrom
|
|---|
|
Collector Current
|
|
Courant de collecteur
|
|
|
|
| IC1: |
Kollektorstrom im ersten Arbeitspunkt
|
|---|
|
Collector Current at First Bias Condition
|
|
| IC1/IC2: |
Verhältnis der Kollektorströme (beim Differenzverstärker)
|
|---|
|
Collector Current Ratio (Differential Amplifier)
|
|
| IC2: |
Kollektorstrom im zweiten Arbeitspunkt
|
|---|
|
Collector Current at Second Bias Condition
|
|
| IC (AGC): |
Kollektorstrom bei Regelung
|
|---|
|
Collector Current with AGC
|
|
| ICAV: |
Kollektorstrom-Mittelwert
|
|---|
|
Average Collector Current
|
|
| ICBO: |
Kollektor-Reststrom bei offenem Emitter (IE=0)
|
|---|
|
Collector-Cutoff Current at Open Emitter (IE=0)
|
|
|
|
| ICBV: |
Kollektor-Reststrom bei spezifizierter Basis-Sperrspannung UBE(OFF)
|
|---|
|
Collector-Cutoff Current - Specified Base Reverse-Bias Voltage UBE(OFF)
|
|
| ICBX: |
Kollektor-Reststrom bei spezifizierter Beschaltung zwischen Basis und Emitter
|
|---|
|
Collector-Cutoff Current - Specified Base-Emitter Circuit
|
|
| Icc: |
Kollektor-Betriebsstrom
|
|---|
|
Collector Supply Current
|
|
| ICEO: |
Kollektor-Reststrom bei offener Basis (IB=0)
|
|---|
|
Collector Cutoff Current with Base Open (IB=0)
|
|
| ICER: |
Kollektor-Reststrom bei spezifiziertem Widerstand zwischen Basis und Emitter
|
|---|
|
Collector-Cutoff Current - Specified Base-Emitter Resistance
|
|
| ICERM: |
Scheitelwert des Kollektor-Reststroms bei spezifiziertem Widerstand zwischen Basis und Emitter
|
|---|
|
Peak Collector-Cutoff Current - Specified Base-Emitter Resistance
|
|
| ICES: |
Kollektor-Reststrom bei kurzgeschlossener Basis-Emitter-Strecke (UBE=0)
|
|---|
|
Collector Cutoff Current - Base Shorted to Emitter (UBE=0)
|
|
| ICEV: |
Kollektor-Reststrom bei spezifizierter Basis-Sperrspannung UBE(OFF)
|
|---|
|
Collector-Cutoff Current - Specified Base Reverse-Bias Voltage UBE(OFF)
|
|
| ICEX: |
Kollektor-Reststrom bei spezifizierter Beschaltung zwischen Basis und Emitter
|
|---|
|
Collector-Cutoff Cutoff Current - Specified Base-Emitter Circuit
|
|
| ICEXM: |
Scheitelwert des Kollektor-Reststroms bei spezifizierter Beschaltung zwischen Basis und Emitter
|
|---|
|
Peak Collector-Cutoff Cutoff Current - Specified Base-Emitter Circuit
|
|
| ICM: |
Kollektorspitzenstrom - Scheitelwert des Kollektorstroms
|
|---|
|
Peak Collector Current
|
|
Courant de collecteur crête
|
|
|
|
| ICMR: |
Scheitelwert des Kollektorstroms in Sperrrichtung
|
|---|
|
Peak Collector Reverse Current
|
|
| ICRM: |
Periodischer Kollektorspitzenstrom in Durchlassrichtung
|
|---|
|
Repetitive Peak Forward Collector Current - Recurrent Peak Forward Collector Current
|
|
IC (SB):
ICSB: |
Kollektorstrom bei zweitem Durchbruch mit Basis-Emitter-Vorspannung in Durchlassrichtung und nichtperiodischem Impuls von tP = 1.0 s Dauer
|
|---|
|
Second-Breakdown Collector Current with Base Forward Biased and Nonrepetitive Pulse of tP = 1.0 s Duration
|
|
| ICSM: |
Kollektorspitzenstrom (Stossstrom)
|
|---|
|
Nonrepetitive Peak Collector Current, Surge Current
|
|
| Icz: |
Kollektorstrom im Durchbruchsgebiet
|
|---|
|
Collector Current at Avalanche Condition
|
|
| ID: |
Drain-Strom
|
|---|
|
Drain Current
|
|
| ID (OFF): |
Drain-Sperrstrom
|
|---|
|
Drain Cutoff Current
|
|
| ID (ON): |
Drain-Durchlassstrom im leitenden Zustand
|
|---|
|
On-State Drain Current
|
|
| IDA: |
Drain-Lawinenstrom
|
|---|
|
Drain Avalanche Current
|
|
| IDM: |
Drain-Spitzenstrom (gepulst) - Scheitelwert des Drain-Stroms
|
|---|
|
Peak Drain Current (pulsed)
|
|
| IDSS: |
Drain-Sättigungsstrom - Drain-Reststrom - Gate mit Source verbunden (UGS=0)
|
|---|
|
Drain Saturation Current - Drain Cutoff Current - Gate Shorted to Source (UGS=0)
|
|
| IDSV: |
Drain-Reststrom bei spezifizierter Gate-Source-Spannung UGS (OFF)
|
|---|
|
Drain Cutoff Current - Specified Gate-Source Voltage UGS (OFF)
|
|
| IE: |
Emitterrstrom
|
|---|
|
Emitter Current
|
|
|
|
| IEAV: |
Emitterstrom-Mittelwert
|
|---|
|
Average Emitter Current
|
|
| IEBO: |
Emitter-Reststrom bei offenem Kollektor (IC=0)
|
|---|
|
Emitter-Cutoff Current with Collector Open (IC=0)
|
|
|
|
| IEBV: |
Emitter-Reststrom bei spezifizierter Kollektorspannung UcE
|
|---|
|
Emitter-Cutoff Current - Specified Collector Voltage UcE
|
|
| IEE: |
Gemeinsamer Emitterstrom (beim Differenzverstärker)
|
|---|
|
Common Emitter Current (Differential Amplifier)
|
|
| IEM: |
Scheitelwert des Emitterrstroms
|
|---|
|
Peak Emitter Current
|
|
| IER: |
Emitterstrom in Sperrrichtung
|
|---|
|
Emitter Reverse Current
|
|
| IERM: |
Scheitelwert des Emitterstroms in Sperrrichtung
|
|---|
|
Peak Emitter Reverse Current
|
|
| IF: |
Durchlassstrom
|
|---|
|
Forward Current
|
|
| IF/T: |
Temperaturkoeffizient des Durchlassstroms
|
|---|
|
Forward Current Temperature Coefficient
|
|
| IFAV: |
Mittelwert des Durchlassstroms - Richtstrom bei Gleichrichter mit R-Last
|
|---|
|
Average Forward Current - Rectified Current at Resistive Load
|
|
| IFM: |
Scheitelwert des Durchlassstroms - Spitzenstrom in Durchlassrichtung
|
|---|
|
Peak Forward Current
|
|
| IFRM: |
Periodischer Spitzenstrom in Durchlassrichtung
|
|---|
|
Repetitive Peak Forward Current - Recurrent Peak Forward Current
|
|
| IF(RMS): |
Effektiver Durchlassstrom
|
|---|
|
RMS Forward Current
|
|
| IFSM: |
Stossstrom für t<1s in Durchlassrichtung - Scheitelwert einer sinusförmigen Stromhalbwelle bei 50Hz-Betrieb
|
|---|
|
Nonrepetitive Peak Forward Current, Surge Current at t<1s
|
|
| IG: |
Gate-Strom
|
|---|
|
Gate Current
|
|
| IG1: |
Gate-1-Strom
|
|---|
|
Gate-No.1 Current
|
|
| IG1M: |
Gate-1-Spitzenstrom
|
|---|
|
Peak Gate-No.1 Current
|
|
| IG1SM: |
Gate-1-Source-Spitzenstrom
|
|---|
|
Peak Gate-No.1 to Source Current
|
|
| IG2: |
Gate-2-Strom
|
|---|
|
Gate-No.2 Current
|
|
| IG2M: |
Gate-2-Spitzenstrom
|
|---|
|
Peak Gate-No.2 Current
|
|
| IG2SM: |
Gate-2-Source-Spitzenstrom
|
|---|
|
Peak Gate-No.2 to Source Current
|
|
| IGM: |
Spitzenwert der Gate-Steuerstromes
|
|---|
|
Peak Gate Input Current
|
|
| IGSS: |
Gate-Sperrstrom - Gate-Source-Leckstrom - Drain mit Source verbunden (UDS=0)
|
|---|
|
Gate Reverse Current - Gate-Source Leakage Current - Drain Shorted to Source (UDS=0)
|
|
| IGT: |
Gate-Trigger-Strom
|
|---|
|
Gate Trigger Current
|
|
| Ii~: |
Eingangswechselstrom
|
|---|
|
AC Input Current
|
|
| IK=: |
Gleichgerichteter Ausgangsstrom
|
|---|
|
Half-Wave Rectified Output Current
|
|
| IMD: |
Intermodulationsverzerrungen
|
|---|
|
Intermodulation Distortion
|
|
| Io: |
Richtstrom - Arithmetischer Mittelwert des Durchlassstromes bei Gleichrichtung sinusförmiger Wechselspannungen
|
|---|
|
Average Forward Current by a rectified sine-wave voltage
|
|
| IP: |
Höckerstrom
|
|---|
|
Peak-Point Current
|
|
| IR: |
Sperrstrom
|
|---|
|
Reverse Current
|
|
| IR: |
Dynamische Änderung des Sperrstroms (durch Wechselstromkomponente)
|
|---|
|
Dynamic Change of Reverse Current (by AC Component)
|
|
| IRM: |
Scheitelwert des Sperrstroms - Spitzen-Sperrstrom (gepulst)
|
|---|
|
Peak Reverse Current (pulsed)
|
|
| IRM(REC): |
Scheitelwert des Sperrverzögerungsstroms
|
|---|
|
Peak Reverse Recovery Current
|
|
| irr: |
Messstrom nach Sperrverzögerungszeit
|
|---|
|
Reverse Recovery Time Measuring Current
|
|
| IRRM: |
Periodischer Spitzenstrom in Sperrrichtung - Rückstromspitze
|
|---|
|
Repetitive Peak Reverse Current
|
|
| IT: |
Thyristor-Dauergleichstrom bei Widerstandslast
|
|---|
|
Continuous DC Forward Current at Resistive Load
|
|
| ITAV: |
Thyristor-Dauergrenzstrom bei 180° Stromflusswinkel und Widerstandslast
|
|---|
|
Average Forward Current at 180° Conduction Angle, Resistive Load
|
|
| ITRM: |
Thyristor, periodischer Spitzenstrom
|
|---|
|
Repetitive Peak Forward Current
|
|
| IT(RMS): |
Effektivwert des Durchlassstroms bei Thyristor
|
|---|
|
Thyristor RMS Forward Current
|
|
| ITSM: |
Thyristor, Stossstrom für eine 50- oder 60-Hz-Sinushalbwelle
|
|---|
|
Peak Surge Current at One Half Cycle 50Hz or 60Hz
|
|
| IV: |
Talstrom
|
|---|
|
Valley-Point Current
|
|
| Iz: |
Zener-Strom
|
|---|
|
Zener Current
|
|
| IZM: |
Scheitelwert des Zener-Stroms
|
|---|
|
Peak Zener Current - Peak working current
|
|
| IZRM: |
Periodischer Spitzenstrom in Zenerdiodenbetrieb
|
|---|
|
Repetitive peak working current - Zener current
|
|
| IZSM: |
Durchbruch-Stossstrom bei Zenerdioden, Überlastungsstromstoss für t<1s
|
|---|
|
Nonrepetitive Peak Zener Current, Surge Current at t<1s
|
|
| k: |
Klirrfaktor
|
|---|
|
Total Harmonic Distortions
|
|
Distorsion totale
|
|
|
| L: |
Induktivität
|
|---|
|
Inductance
|
|
| LB: |
Induktivität im Basiskreis
|
|---|
|
Base-Circuit Inductance
|
|
| Lc: |
Induktivität im Kollektorkreis
|
|---|
|
Collector-Circuit Inductance
|
|
| LD: |
Innere Drain-Induktivität
|
|---|
|
Internal Drain Inductance
|
|
| Ls: |
Serieninduktivität
|
|---|
|
Series Inductance
|
|
| LS: |
Innere Source-Induktivität
|
|---|
|
Internal Source Inductance
|
|
| m: |
Modulationsfaktor
|
|---|
|
Modulation Factor
|
|
MAX
max. |
Maximalwert
|
|---|
|
Maximal Rating
|
|
MIN
min. |
Minimalwert
|
|---|
|
Minimal Rating
|
|
NOM
nom. |
Nominalwert
|
|---|
|
Nominal Rating
|
|
| P: |
Leistungsabfall
|
|---|
|
Power loss - Power reduction
|
|
| Pc: |
Kollektorverlustleistung
|
|---|
|
Collector Power Dissipation
|
|
| PIN: |
Eingangsleistung - Treiberleistung
|
|---|
|
Power Input - Driving Power
|
|
| PG: |
Mittelwert der Gate-Steuerleistung
|
|---|
|
Average Gate Input Power
|
|
| PGM: |
Spitzenwert der Gate-Steuerleistung
|
|---|
|
Peak Gate Input Power
|
|
| Pin(RF): |
Hochfrequenz-Eingangsleistung
|
|---|
|
Radio-Frequency Power Input
|
|
| PM: |
Impuls-Spitzenleistung
|
|---|
|
Pulsed Peak Power
|
|
| Pob: |
Ausgangsleistung in Basisschaltung
|
|---|
|
Power Output in Common-Base Circuit
|
|
| Pol. |
Polarität: N = N-Kanal-Typ, N-S = N-Kanal-Typ mit symmetrischer Geometrie (Source und Drain sind vertauschbar), P = P-Kanal-Typ, P-S = P-Kanal-Typ mit symmetrischer Geometrie
|
|---|
|
Polarity: N = N-Channel Type, N-S = N-Channel Type with Symmetrical Geometry (Source and Drain Can Be Interchanged), P = P-Channel Type, P-S = P-Channel Type with Symmetrical Geometry
|
|
| POUT: |
Ausgangsleistung
|
|---|
|
Power Output
|
|
| PRRM: |
Periodische Spitzen-Sperrverlustleistung
|
|---|
|
Repetitive Peak Reverse Power Dissipation
|
|
| PRSM: |
Scheitelwert der Verlustleistung durch kurzzeitige Transienten in Sperrrichtung
|
|---|
|
Nonrepetitive Peak Reverse Power Dissipation by Transients
|
|
| PT: |
Gesamtverlustleistung
|
|---|
|
Total Power Dissipation
|
|
| PZRM: |
Periodische Spitzenverlustleistung einer in Sperrichtung betriebenen Zenerdiode
|
|---|
|
Repetitive peak reverse power dissipation of zener diode
|
|
| PZSM: |
Nichtperiodische Spitzenverlustleistung einer in Sperrichtung betriebenen Zenerdiode
|
|---|
|
Non-repetitive peak reverse power dissipation of zener diode
|
|
| Q: |
Güte
|
|---|
|
Figure of Merit
|
|
| Qg: |
Gate-Gesamtladung (Gate-Source + Gate-Drain)
|
|---|
|
Total Gate Charge (Gate-Source + Gate-Drain)
|
|
| Qgd: |
Gate-Drain-Ladung (Miller-Ladung)
|
|---|
|
Gate-Drain ('Miller') Charge
|
|
| Qgs: |
Gate-Source-Ladung
|
|---|
|
Gate-Source Charge
|
|
| Qrr: |
Sperrverzögerungsladung
|
|---|
|
Reverse Recovery Charge
|
|
| Qs: |
Sperrverzugsladung - Gespeicherte Ladung
|
|---|
|
Stored Charge
|
|
| Qsb: |
Gespeicherte Basis-Ladung
|
|---|
|
Stored Base Charge
|
|
| R: |
Widerstand
|
|---|
|
Resistance
|
|
| R1: |
Erster (oberer) Spannungsteilerwiderstand - Eingangswiderstand
|
|---|
|
(Upper) Voltage-Divider Resistor No.1 - Input Resistor
|
|
R11e:
Rie: |
Eingangswiderstand in Emitterschaltung
|
|---|
|
Common-Emitter Input Resistance
|
|
| R2: |
Zweiter (unterer) Spannungsteilerwiderstand - Ausgangswiderstand
|
|---|
|
(Lower) Voltage-Divider Resistor No.2 - Output Resistor
|
|
R22e:
Roe: |
Ausgangswiderstand in Emitterschaltung
|
|---|
|
Common-Emitter Output Resistance
|
|
| RA: |
(Effektiver) Widerstand in der Anodenleitung
|
|---|
|
Effective Anode-Supply Impedance per Anode
|
|
| RB: |
Widerstand im Basiskreis - Basis-Vorwiderstand
|
|---|
|
Base Circuit Resistance - Base Series Resistance
|
|
| RBB: |
Widerstand im Basiskreis
|
|---|
|
Base Circuit Resistance
|
|
| rbb': |
Basisbahnwiderstand
|
|---|
|
Base Spreading Resistance
|
|
| rbb'•Cb'c: |
Rückwirkungszeitkonstante - Produkt aus Basisbahnwiderstand und Kollektor-Kapazität
|
|---|
|
Reverse Transfer Time Constant - Product of Base Spreading Resistance with Collector Capacitance
|
|
|
|
| rbb'•Cc: |
Kollektor-Zeitkonstante - Produkt aus Basisbahnwiderstand und Kollektor-Kapazität
|
|---|
|
Collector Time Constant - Product of Base Spreading Resistance with Collector Capacitance
|
|
| RBE: |
Basis-Emitter-Widerstand
|
|---|
|
Base-to-Emitter Resistance
|
|
| Rc: |
Kollektorwiderstand
|
|---|
|
Collector Resistance
|
|
| RCL: |
Kollektor-Lastwiderstand - Lastimpedanz
|
|---|
|
Collector Load Resistance - Impedance
|
|
| RCCL: |
Lastwiderstand zwischen beiden Kollektoren - Lastimpedanz einer Gegentakt-Schaltung
|
|---|
|
Collector-to-Collector Load Resistance - Impedance of Push-Pull Circuit
|
|
| Rd: |
Dämpfungswiderstand
|
|---|
|
Damping Resistance
|
|
| RD: |
Drain-Widerstand
|
|---|
|
Drain Resistance
|
|
| RDS (ON): |
Statischer Drain-Source-Durchlasswiderstand
|
|---|
|
Static Drain-Source On-State Resistance
|
|
| rDS (ON): |
Dynamischer oder Kleinsignal-Drain-Source-Durchlasswiderstand
|
|---|
|
Dynamic or Small-Signal Drain-Source On-State Resistance
|
|
RDS (ON)
/T: |
Temperaturkoeffizient des statischen Drain-Source-Durchlasswiderstands
|
|---|
|
Change in Static Drain-Source On-State Resistance with Temperature (Temperature Coefficient)
|
|
| RE: |
Emitterwiderstand
|
|---|
|
Emitter Resistance
|
|
| REE: |
Gemeinsamer Emitterwiderstand (beim Differenzverstärker)
|
|---|
|
Common Emitter Resistance (Differential Amplifier)
|
|
| rf: |
Differentieller Widerstand in Durchlassrichtung
|
|---|
|
Differential Forward Resistance
|
|
| RF: |
Statischer Durchlasswiderstand
|
|---|
|
Static Forward Resistance
|
|
| RG: |
Gate-Vorwiderstand
|
|---|
|
Gate Series Resistor
|
|
| RG: |
Generator-Innenwiderstand
|
|---|
|
Generator Internal Resistance
|
|
| RGK: |
Gate-Katode-Widerstand
|
|---|
|
Gate-to-Cathode Resistance
|
|
| RGS: |
Gate-Source-Widerstand
|
|---|
|
Gate-Source Resistance
|
|
| RGSS: |
Gate-Source-Eingangswiderstand - Drain mit Source verbunden (UDS=0)
|
|---|
|
Gate-Source Input Resistance - Drain Shorted to Source (UDS=0)
|
|
| RIN: |
Äquivalenter Parallel-Eingangswiderstand
|
|---|
|
Parallel Equivalent Input Resistance
|
|
| RIN(B): |
Basis-Eingangswiderstand - Impedanz
|
|---|
|
Base Input Resistance - Impedance
|
|
| RIN(BB): |
Basis-zu-Basis-Eingangswiderstand - Impedanz einer Gegentakt-Schaltung
|
|---|
|
Base-to-Base Input Resistance - Impedance of Push-Pull Circuit
|
|
| RL: |
Lastwiderstand
|
|---|
|
Load Resistance
|
|
| Rp: |
Sperrwiderstand
|
|---|
|
Reverse Resistance
|
|
| rr: |
Differentieller Widerstand in Sperrrichtung
|
|---|
|
Differential Reverse Resistance
|
|
| RR: |
Statischer Sperrwiderstand
|
|---|
|
Static Reverse Resistance
|
|
| rs: |
Dynamischer Serienwiderstand
|
|---|
|
Dynamic Series Resistance
|
|
| Rs: |
Serienwiderstand
|
|---|
|
Series Resistance
|
|
| RS: |
Source-Widerstand
|
|---|
|
Source Resistance
|
|
| rs•CT: |
Zeitkonstante Produkt aus Kapazität und Serienwiderstand bei Kapazitätsdioden
|
|---|
|
Time Constant Product of Capacitance with Series Resistance of Variable-Capacitance Diodes
|
|
| RthCA: |
Wärmewiderstand zwischen Gehäuse und Umgebung (kann den thermischen Widerstand eines Kühlblechs enthalten)
|
|---|
|
Thermal Resistance - Case to Ambient (may include the thermal resistance of a heat sink)
|
|
| RthCIS: |
Wärmewiderstand zwischen Gehäuse und Kühlkörper mit Isolation durch Glimmerscheibe
|
|---|
|
Thermal Resistance - Case to Heat Sink with Insulation by Mica Washer
|
|
| RthCS: |
Wärmewiderstand zwischen Gehäuse und Kühlkörper
|
|---|
|
Thermal Resistance - Case to Heat Sink
|
|
| RthJA: |
Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Umgebung
|
|---|
|
Thermal Resistance - Junction to Ambient
|
|
| RthJC: |
Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Gehäuse
|
|---|
|
Thermal Resistance - Junction to Case
|
|
| RthJM: |
Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Montagefläche (Gehäuseboden)
|
|---|
|
Thermal Resistance - Junction to Mounting Base
|
|
| RthMS: |
Wärmewiderstand zwischen Montagefläche (Gehäuseboden) und Kühlkörper
|
|---|
|
Thermal Resistance - Mounting Base to Heat Sink
|
|
| RthJS: |
Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Kühlblech oder Befestigungsstellen
|
|---|
|
Thermal Resistance - Junction to Heat Sink or Junction to Mounting Points
|
|
| rz: |
Dynamischer Zener-Widerstand
|
|---|
|
Dynamic Zener Resistance
|
|
| s: |
Eingangsanpassung
|
|---|
|
Input Matching
|
|
| s: |
Sättigungsfaktor, Übersteuerung bei Schalttransistoren s = hFE x IB / Ic
|
|---|
|
Saturation Factor, Overdriving Switching Transistors s = hFE x IB / Ic
|
|
| s: |
Welligkeitsfaktor, Stehwellenverhältnis
|
|---|
|
Voltage Standing-Wave Ratio (VSWR)
|
|
sfb:
s21b: |
Vorwärts-Übertragungsfaktor in Basisschaltung
|
|---|
|
Common-Base Forward Transmission Coefficient
|
|
sfe:
s21e: |
Vorwärts-Übertragungsfaktor in Emitterschaltung
|
|---|
|
Common-Emitter Forward Transmission Coefficient
|
|
sib:
s11b: |
Eingangs-Reflexionsfaktor in Basisschaltung
|
|---|
|
Common-Base Input Reflection Coefficient
|
|
sie:
s11e: |
Eingangs-Reflexionsfaktor in Emitterschaltung
|
|---|
|
Common-Emitter Input Reflection Coefficient
|
|
sob:
s22b: |
Ausgangs-Reflexionsfaktor in Basisschaltung
|
|---|
|
Common-Base Output Reflection Coefficient
|
|
soe:
s22e: |
Ausgangs-Reflexionsfaktor in Emitterschaltung
|
|---|
|
Common-Emitter Output Reflection Coefficient
|
|
srb:
s12b: |
Rückwärts-Übertragungsfaktor in Basisschaltung
|
|---|
|
Common-Base Reverse Transmission Coefficient
|
|
sre:
s12e: |
Rückwärts-Übertragungsfaktor in Emitterschaltung
|
|---|
|
Common-Emitter Reverse Transmission Coefficient
|
|
| S/N: |
Störabstand
|
|---|
|
Signal-to-Noise Ratio
|
|
| t: |
Zeitdauer
|
|---|
|
Time - Duration
|
|
| T: |
Temperatur, Arbeitstemperatur, Betriebstemperatur
|
|---|
|
Temperature, Working Temperature, Operating Temperature
|
|
|
|
| TA: |
Umgebungstemperatur
|
|---|
|
Ambient Temperature
|
 
|
|
| tAV: |
Integrationszeit
|
|---|
|
Averaging Time
|
|
| Tc: |
Gehäusetemperatur
|
|---|
|
Case Temperature
|
|
|
|
| TCH: |
Zulässiger Kanaltemperatur-Arbeitsbereich
|
|---|
|
Operating Channel Temperature Range
|
|
| td: |
Verzögerungszeit
|
|---|
|
Delay Time
|
|
| td (OFF): |
Ausschalt-Verzögerungszeit
|
|---|
|
Turn-Off Delay Time
|
|
| td (ON): |
Einschalt-Verzögerungszeit
|
|---|
|
Turn-On Delay Time
|
|
| tf: |
Abfallzeit
|
|---|
|
Fall Time
|
|
| tfr: |
Vorwärtserholzeit - Durchlassverzögerungszeit
|
|---|
|
Forward Recovery Time
|
|
| TJ: |
Sperrschichttemperatur bei Bipolartransistoren und Thyristoren - Kanaltemperatur bei (unipolaren) Feldeffekt-Transistoren
|
|---|
|
Junction Temperature of Bipolar Transistors and Thyristors - Channel Temperature of (Unipolar) Field-Effect Transistors
|
|
| TL: |
Löttemperatur
|
|---|
|
Lead temperature for soldering purposes - Lead-Soldering Temperature (10 s max)
|
|
|
| TL: |
Drahttemperatur beim Löten für maximal t Sekunden, Abstand d vom Gehäuseboden (bzw. für 10 Sekunden 1,6 mm vom Gehäuseboden entfernt)
|
|---|
|
Lead Temperature for soldering purposes at distance d from case or from seating plane for t seconds maximum (resp. 1/16 inch from seating plane for 10 seconds)
|
|
| TL: |
Drahttemperatur beim Löten für maximal t Sekunden, Abstand d vom Gehäuse (bzw. für 10 Sekunden 5 mm vom Gehäuse entfernt)
|
|---|
|
Lead Temperature for soldering purposes at distance d from case or from seating plane for t seconds maximum (resp. 3/16 inch from case for 10 seconds)
|
|
| TL: |
Drahttemperatur beim Löten für maximal t Sekunden, Abstand d vom Gehäuse mit Wärmeableiter zwischen Lötstelle und Gehäuse
|
|---|
|
Lead Temperature for soldering purposes at distance d from case for t seconds maximum, with heat-sink applied between case and point of soldering
|
|
| TL: |
Löttemperatur für maximal 10 Sekunden, bei mindestens 5 mm Abstand vom Gehäuse mit Wärmeableiter zwischen Lötstelle und Gehäuse
|
|---|
|
Soldering Temperature at a minimum distance of 3/16 inch from case for 10 seconds maximum, with heat-sink applied between case and point of soldering
|
 
 
|
|
| TL: |
Löttemperatur bei einem minimalen Abstand d vom Gehäuse für maximal t Sekunden, bzw. 2 mm vom Gehäuse (Aufsetzkante) entfernt für 5 Sekunden.
|
|---|
|
Soldering Temperature at a minimum distance d from case for t seconds maximum, resp. 2 mm from case (seating plane) for 5 seconds.
|
|
| TL: |
Die maximal erlaubte Temperatur des Lötkolbens oder Lötbades darf nicht länger als 5 Sekunden mit der Lötstelle in Kontakt sein.
Lötstellen müssen mindestens 5 mm vom Gehäuse (Ursprung, Einschmelzung des Anschlussdrahtes) entfernt sein.
|
|---|
|
The maximum permissible temperature of the soldering iron or bath: it must be in contact with the joint for no more than 5 seconds.
Soldered joints must be at last 5 mm from the seal.
|
|
| TL: |
Löttemperatur an Gehäuse und Anschlussdrähten für maximal 10 Sekunden.
|
|---|
|
Lead Temperature during soldering for 10 seconds maximum for case and leads.
|
|
| TL: |
Maximale Anschlusstemperatur beim Löten, 3,2 mm vom Gehäuse für 5 Sekunden.
|
|---|
|
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes: 3.2 mm (1/8 Inch) from Case for 5 Seconds.
|
|
| TL: |
Drahttemperatur beim Löten, 1,6 mm vom Gehäuse für 10 Sekunden (oder für t Sekunden, wenn t angegeben ist).
|
|---|
|
Solder Temperature, Lead Temperature 1.6 mm (1/16 Inch) from Case for 10 Seconds (or for t Seconds if t is specified).
|
|
| TL: |
Drahttemperatur beim Löten, 3,2 mm vom Gehäuse für 10 Sekunden.
|
|---|
|
Lead Temperature 3.2 mm (1/8 Inch) from Case for 10 Seconds.
|
|
| TL: |
Drahttemperatur beim Löten, 1,6 mm vom Gehäuse für 60 Sekunden.
|
|---|
|
Lead Temperature 1.6 mm (1/16 Inch) from Case for 60 Seconds.
|
|
| TL: |
Drahttemperatur beim Löten, 2 mm vom Gehäuse für 10 Sekunden.
|
|---|
|
Lead Temperature 2 mm from Case for 10 Seconds.
|
|
| TL: |
Maximal zulässige Löttemperatur bei einer minimalen Drahtlänge von 2,5 mm und einer maximalen Lötdauer von 2 Sekunden.
|
|---|
|
Maximum soldering temperature for 2 seconds, minimum lead length 2.5 mm.
|
|
| tm: |
Lebensdauer der Minoritäts-Ladungsträger
|
|---|
|
Minority Carrier Lifetime
|
|
| TM: |
Montageflächentemperatur
|
|---|
|
Mounting-Base Temperature
|
|
| Tn/To: |
Rauschtemperatur-Verhältnis
|
|---|
|
Output Noise Temperature Ratio
|
|
| tOFF: |
Ausschaltzeit = Speicherzeit + Abfallzeit
|
|---|
|
Turn-Off Time = Storage Time + Fall Time
|
|
| tON: |
Einschaltzeit = Verzögerungszeit + Anstiegzeit
|
|---|
|
Turn-On Time = Delay Time + Rise Time
|
|
| tP: |
Pulsdauer - Pulsbreite
|
|---|
|
Pulse Duration - Pulse Width
|
|
| TP: |
Stifttemperatur beim Löten für maximal t Sekunden, Abstand d vom Gehäuseboden (bzw. für 10 Sekunden 0,8 mm vom Gehäuseboden entfernt)
|
|---|
|
Pin Temperature for soldering purposes at distance d from case or from seating plane for t seconds maximum (resp. 1/32 inch from seating plane for 10 seconds)
|
|
| TP: |
Stifttemperatur beim Löten für maximal 5 Sekunden bei 3,17 mm Abstand vom Gehäuseboden
|
|---|
|
Pin temperature for soldering purposes at distance 1/8 inch from case or from seating plane for 5 seconds maximum duration
|
|
| tPS: |
Pulsdauer - Pulsbreite eines Stossstroms oder einer Stossspannung
|
|---|
|
Pulse Duration - Pulse Width of a Current or Voltage Surge
|
|
| tP/T: |
Tastverhältnis
|
|---|
|
Duty Cycle
|
|
| tq: |
Rekombinationsszeit - Mittlere Ladungsträger-Lebensdauer
|
|---|
|
Recombination Time - Average Carrier Life-Time
|
|
| tr: |
Anstiegsszeit
|
|---|
|
Rise Time
|
|
| trr: |
Sperrverzögerungszeit
|
|---|
|
Reverse Recovery Time
|
|
| ts: |
Speicherzeit
|
|---|
|
Storage Time
|
|
| Ts: |
Kühlkörpertemperatur, Temperatur der Befestigungsstellen
|
|---|
|
Heat-Sink Temperature, Temperature of Mounting Points
|
|
| TSTG: |
Lagerungstemperatur
|
|---|
|
Storage Temperature
|
|
| tT: |
Übergangszeit - Gesamt-Schaltzeit = Verzögerungszeit + Anstiegzeit + Abfallzeit
|
|---|
|
Transition Time - Total Switching Time = Delay Time + Rise Time + Fall Time
|
|
TYP
typ. |
Mittlerer Wert - Typischer Wert
|
|---|
|
Typical Value
|
|
| UA~: |
Anodenwechselspannung
|
|---|
|
AC Anode Supply Voltage
|
|
| UAK: |
Spannung zwischen Anode und Katode
|
|---|
|
Anode-to-Cathode Voltage
|
|
| Ub: |
Betriebsspannung, Speisespannung (bezogen auf Masse)
|
|---|
|
DC Supply Voltage (referenced to ground)
|
|
Tension d'alimentation
|
|
|
|
| UBB: |
Basis-Betriebsspannung
|
|---|
|
Base Supply Voltage
|
|
| UBB: |
Eingangsfehlspannung, äquivalente Driftspannung |UBE1-UBE2| wenn IC1=IC2 (beim Differenzverstärker)
|
|---|
|
Input Offset Voltage, Equivalent Drift Voltage (Differential Amplifier)
|
|
| UBB/T: |
Temperaturkoeffizient der Eingangsfehlspannung, äquivalenten Driftspannung (beim Differenzverstärker)
|
|---|
|
Input Offset Voltage, Equivalent Drift Voltage Temperature Coefficient (Differential Amplifier)
|
|
| UBE: |
Basis-Emitter-Vorspannung
|
|---|
|
Base-Emitter Bias Voltage
|
|
| UBE: |
Differenz der Basis-Emitter-Spannungen (beim Differenzverstärker)
|
|---|
|
Difference of Base-to-Emitter Voltages (Differential Amplifier)
|
|
| UBE/T: |
Temperaturkoeffizient der Basis-Emitter-Spannung
|
|---|
|
Base-Emitter Voltage Temperature Coefficient
|
|
| UBE(OFF): |
Basis-Emitter-Sperrspannung
|
|---|
|
Base-to-Emitter Off-State Voltage
|
|
| UBE(ON): |
Basis-Emitter-Durchlass-Spannung
|
|---|
|
Base-to-Emitter On-State Voltage
|
|
| UBES: |
Basis-Emitter-Restspannung bei kurzgeschlossener Kollektor-Basis-Strecke (UCB=0)
|
|---|
|
Base-to-Emitter On-State Voltage - Collector Shorted to Base (UCB=0)
|
|
| UBE(SAT): |
Basis-Emitter-Restspannung in Sättigung
|
|---|
|
Base-to-Emitter Saturation Voltage
|
|
|
|
| U(BR)CBO: |
Kollektor-Basis-Durchbruchspannung bei offenem Emitter (IE=0)
|
|---|
|
Collector-to-Base Breakdown Voltage at Open Emitter (IE=0)
|
|
| U(BR)CEO: |
Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung bei offener Basis (IB=0)
|
|---|
|
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage at Open Base (IB=0)
|
|
| U(BR)CER: |
Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung bei einem Widerstand zwischen Basis und Emitter
|
|---|
|
Collector-Emitter Breakdown Voltage - Specified Base-Emitter Resistance
|
|
| U(BR)CES: |
Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung bei kurzgeschlossener Basis-Emitter-Strecke (UBE=0)
|
|---|
|
Collector-Emitter Breakdown Voltage - Base Shorted to Emitter (UBE=0)
|
|
| U(BR)CEV: |
Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung bei spezifizierter Basis-Sperrspannung UBE(OFF)
|
|---|
|
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage - Specified Base Reverse Voltage UBE(OFF)
|
|
| U(BR)CEX: |
Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung bei spezifizierter Beschaltung zwischen Basis und Emitter
|
|---|
|
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage - Specified Base-Emitter Circuit
|
|
| U (BR) DGO: |
Drain-Gate-Durchbruchspannung bei offenem Source-Anschluss (Is=0)
|
|---|
|
Drain-Gate Breakdown Voltage at Open Source (Is=0)
|
|
| U (BR) DSS: |
Drain-Source-Durchbruchspannung bei kurzgeschlossener Gate-Source-Strecke (UGS=0)
|
|---|
|
Drain-Source Breakdown Voltage - Gate Shorted to Source (UGS=0)
|
|
| U (BR) DSV: |
Drain-Source-Durchbruchspannung bei spezifizierter Gate-Source-Spannung UGS (OFF)
|
|---|
|
Drain-Source Breakdown Voltage - Specified Gate-Source Voltage UGS (OFF)
|
|
| U(BR)EBO: |
Emitter-Basis-Durchbruchspannung bei offenem Kollektor (Ic=0)
|
|---|
|
Emitter-to-Base Breakdown Voltage at Open Collector (Ic=0)
|
|
| U(BR)GSS: |
Gate-Source-Durchbruchspannung bei kurzgeschlossener Drain-Sorce-Strecke (UDs=0)
|
|---|
|
Gate-Source Breakdown Voltage - Drain Shorted to Source (UDs=0)
|
|
| U(BR)KA: |
Durchbruchspannung zwischen Katode und Anode
|
|---|
|
Cathode-to-Anode Reverse Breakdown Voltage
|
|
| U(BR)KAM: |
Scheitelwert der Durchbruchspannung zwischen Katode und Anode
|
|---|
|
Peak Cathode-to-Anode Reverse Breakdown Voltage
|
|
| UCB: |
Kollektor-Basis-Spannung
|
|---|
|
Collector-to-Base Voltage
|
|
| UCBM: |
Scheitelwert der Kollektor-Basis-Spannung
|
|---|
|
Peak Collector-to-Base Voltage
|
|
| UCBO: |
Kollektor-Basis-Sperrspannung bei offenem Emitter (IE=0)
|
|---|
|
Collector-to-Base Cutoff Voltage at Open Emitter (IE=0)
|
|
| UCBOM: |
Scheitelwert der Kollektor-Basis-Sperrspannung bei offenem Emitter (IE=0)
|
|---|
|
Peak Collector-to-Base Cutoff Voltage at Open Emitter (IE=0)
|
|
| UCBOSM: |
Spitzenwert (Spannungsstoss bei Überschlägen) der Kollektor-Basis-Sperrspannung bei offenem Emitter (IE=0)
|
|---|
|
Nonrepetitive Peak Collector-to-Base Cutoff Voltage (Flash-over Surge Voltage) at Open Emitter (IE=0)
|
|
| UCB(PT): |
Kollektor-Emitter-Sperrschicht-Berührungsspannung
|
|---|
|
Collector-to-Emitter Punch-Through Voltage
|
|
| UCBS: |
Kollektor-Basis-Sperrspannung bei kurzgeschlossener Basis-Emitter-Strecke (UBE=0)
|
|---|
|
Collector-Base Cutoff Voltage - Base Shorted to Emitter (UBE=0)
|
|
| UCBV: |
Kollektor-Basis-Sperrspannung mit spezifizierter Basis-Sperrspannung UBE(OFF)
|
|---|
|
Collector-to-Base Cutoff Voltage - Specified Base Reverse Voltage UBE(OFF)
|
|
| UCC: |
Kollektor-Betriebsspannung
|
|---|
|
Collector Supply Voltage
|
|
| UCE: |
Kollektor-Emitter-Spannung
|
|---|
|
Collector-to-Emitter Voltage
|
|
| UCEM: |
Scheitelwert der Kollektor-Emitter-Spannung
|
|---|
|
Peak Collector-to-Emitter Voltage
|
|
| UCEO: |
Kollektor-Emitter-Sperrspannung bei offener Basis (IB=0)
|
|---|
|
Collector-to-Emitter Cutoff Voltage at Open Base (IB=0)
|
|
| UCEO (SUS): |
Kollektor-Emitter-Sperrspannung bei offener Basis (IB=0) und induktiver Last LC im Kollektorkreis
|
|---|
|
Collector-to-Emitter Sustaining Voltage at Open Base (IB=0) with inductive load LC in the collector circuit
|
|
| UCER: |
Kollektor-Emitter-Sperrspannung bei einem Widerstand zwischen Basis und Emitter
|
|---|
|
Collector-Emitter Cutoff Voltage - Specified Base-Emitter Resistance
|
|
| UCER (SUS): |
Kollektor-Emitter-Sperrspannung bei einem Widerstand zwischen Basis und Emitter und induktiver Last LC im Kollektorkreis
|
|---|
|
Collector-Emitter Cutoff Voltage - Specified Base-Emitter Resistance with inductive load LC in the collector circuit
|
|
| UCERM: |
Scheitelwert der Kollektor-Emitter-Sperrspannung bei einem Widerstand zwischen Basis und Emitter
|
|---|
|
Peak Collector-Emitter Blocking Voltage - Specified Base-Emitter Resistance
|
|
| UCES: |
Kollektor-Emitter-Sperrspannung bei kurzgeschlossener Basis-Emitter-Strecke (UBE=0)
|
|---|
|
Collector-Emitter Cutoff Voltage - Base Shorted to Emitter (UBE=0)
|
|
| UCESM: |
Scheitelwert der Kollektor-Emitter-Sperrspannung bei kurzgeschlossener Basis-Emitter-Strecke (UBE=0)
|
|---|
|
Peak Collector-Emitter Cutoff Voltage - Base Shorted to Emitter (UBE=0)
|
|
| UCESSM: |
Spitzenwert (Spannungsstoss bei Überschlägen) der Kollektor-Emitter-Sperrspannung bei kurzgeschlossener Basis-Emitter-Strecke (UBE=0)
|
|---|
|
Nonrepetitive Peak Collector-Emitter Cutoff Voltage (Surge Voltage) - Base Shorted to Emitter (UBE=0)
|
|
| UCE(SAT): |
Kollektor-Emitter-Restspannung
|
|---|
|
Collector-Emitter Saturation Voltage
|
|
|
|
| UCE(SHF): |
Hochfrequenz-Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung.
Kollektor-Emitter-Restspannung, bei der die Kleinsignal-Verstärkung entlang der Lastgeraden auf 80% des Maximalwertes abgesunken ist
|
|---|
|
High-Frequency Collector-Emitter Saturation Voltage
|
|
| UCEV: |
Kollektor-Emitter-Sperrspannung mit spezifizierter Basis-Sperrspannung UBE(OFF)
|
|---|
|
Collector-to-Emitter Cutoff Voltage - Specified Base Reverse Voltage UBE(OFF)
|
|
| UCEVM: |
Scheitelwert der Kollektor-Emitter-Sperrspannung mit spezifizierter Basis-Sperrspannung UBE(OFF)
|
|---|
|
Peak Collector-to-Emitter Cutoff Voltage - Specified Base Reverse Voltage UBE(OFF)
|
|
| UCEX: |
Kollektor-Emitter-Sperrspannung bei spezifizierter Beschaltung zwischen Basis und Emitter
|
|---|
|
Collector-to-Emitter Cutoff Voltage - Specified Base-Emitter Circuit
|
|
| UCEXM: |
Scheitelwert der Kollektor-Emitter-Sperrspannung bei spezifizierter Beschaltung zwischen Basis und Emitter
|
|---|
|
Peak Collector-to-Emitter Cutoff Voltage - Specified Base-Emitter Circuit
|
|
| UCL: |
Kollektor-Klemmspannung bei induktiver Last
|
|---|
|
Collector Clamping Voltage at Inductive Load
|
|
| UCSO: |
Kollektor-Substrat-Sperrspannung
|
|---|
|
Collector-to-Substrate Cutoff Voltage
|
|
| UD: |
Thyristorspannung in Durchlassrichtung bei ausgeschaltetem Zustand
|
|---|
|
Thyristor Off-State Forward Voltage
|
|
| UDB: |
Drain-Bulk(Substrat)-Spannung
|
|---|
|
Drain-Bulk(Substrate) Voltage
|
|
| UDD: |
Drain-Versorgungsspannung
|
|---|
|
Drain Supply Voltage
|
|
| UDG: |
Drain-Gate-Spannung
|
|---|
|
Drain-Gate Voltage
|
|
| UDG1O: |
Drain-Gate-1-Spannung bei offenem Source-Anschluss (Is=0)
|
|---|
|
Drain to Gate-No.1 Voltage at Open Source (Is=0)
|
|
| UDG1S: |
Drain-Gate-1-Spannung bei kurzgeschlossener Gate-Source-Strecke (UGS=0)
|
|---|
|
Drain to Gate-No.1 Voltage - Gate Shorted to Source (UGS=0)
|
|
| UDG2O: |
Drain-Gate-2-Spannung bei offenem Source-Anschluss (Is=0)
|
|---|
|
Drain to Gate-No.2 Voltage at Open Source (Is=0)
|
|
| UDG2S: |
Drain-Gate-2-Spannung bei kurzgeschlossener Gate-Source-Strecke (UGS=0)
|
|---|
|
Drain to Gate-No.2 Voltage - Gate Shorted to Source (UGS=0)
|
|
| UDGO: |
Drain-Gate-Spannung bei offenem Source-Anschluss (Is=0)
|
|---|
|
Drain-Gate Voltage at Open Source (Is=0)
|
|
| UDGR: |
Drain-Gate-Spannung bei einem Widerstand RGS zwischen Gate und Source
|
|---|
|
Drain-Gate Voltage - Specified Gate-Source Resistance RGS
|
|
| UDGS: |
Drain-Gate-Spannung bei kurzgeschlossener Gate-Source-Strecke (UGS=0)
|
|---|
|
Drain-Gate Voltage - Gate Shorted to Source (UGS=0)
|
|
| UDRM: |
Periodische Spitzenspannung in Durchlassrichtung bei ausgeschaltetem Zustand
|
|---|
|
Repetitive Peak Off-State Voltage
|
|
| UDROM: |
Periodische Spitzenspannung in Durchlassrichtung bei ausgeschaltetem Zustand (offenes Gate)
|
|---|
|
Repetitive Peak Off-State Voltage (open gate)
|
|
| UDS: |
Drain-Source-Spannung
|
|---|
|
Drain-Source Voltage
|
|
| UDSM: |
Drain-Source-Spitzenspannung, nichtperiodisch
|
|---|
|
Nonrepetitive Drain-Source Peak Voltage
|
|
| UDSO: |
Drain-Source-Durchbruchspannung bei offenem Gate-Anschluss (IG=0)
|
|---|
|
Drain to Source Breakdown Voltage with Open Gate (IG=0)
|
|
| UDS (OFF): |
Drain-Source-Spannung im gesperrten Zustand
|
|---|
|
Drain-Source Off-State Voltage
|
|
| UDSS: |
Drain-Source-Spannung bei kurzgeschlossener Gate-Source-Strecke (UGS=0)
|
|---|
|
Drain-Source Voltage - Gate Shorted to Source (UGS=0)
|
|
| UDSV: |
Drain-Source-Spannung bei spezifizierter Gate-Source-Spannung UGS (OFF)
|
|---|
|
Drain-Source Voltage - Specified Gate-Source Voltage UGS (OFF)
|
|
| UDSX: |
Drain-Source-Spannung bei spezifizierter Beschaltung zwischen Gate und Source
|
|---|
|
Drain-Source Voltage - Specified Gate-Source Circuit
|
|
| UEB: |
Emitter-Basis-Spannung
|
|---|
|
DC Emitter-to-Base Voltage
|
|
| UEB~: |
Emitter-Basis-Wechselspannung
|
|---|
|
AC Emitter-to-Base Voltage
|
|
UEBF
UEB(FL): |
Emitter-Basis-Flussspannung, Emitter-Leerlaufspannung bei offenem Emitter (IE=0)
|
|---|
|
Emitter-to-Base Floating Potential at Open Emitter (IE=0)
|
|
| UEBM: |
Scheitelwert der Emitter-Basis-Spannung
|
|---|
|
Peak Emitter-to-Base Voltage
|
|
| UEBO: |
Emitter-Basis-Sperrspannung bei offenem Kollektor (Ic=0)
|
|---|
|
Emitter-to-Base Cutoff Voltage at Open Collector (Ic=0)
|
|
| UEBOM: |
Scheitelwert der Emitter-Basis-Sperrspannung bei offenem Kollektor (Ic=0)
|
|---|
|
Peak Emitter-to-Base Cutoff Voltage at Open Collector (Ic=0)
|
|
| UEE: |
Emitter-Betriebsspannung
|
|---|
|
Emitter Supply Voltage
|
|
Uen:
en: |
Equivalente Rauschspannung bei kurzgeschlossenem Eingang
|
|---|
|
Equivalent Short-Circuit Input Noise Voltage
|
|
| UF: |
Durchlassspannung
|
|---|
|
Forward Voltage
|
|
| UF/T: |
Temperaturkoeffizient der Durchlassspannung
|
|---|
|
Forward Voltage Temperature Coefficient
|
|
| UFM: |
Scheitelwert der Durchlassspannung (beim Einschalten)
|
|---|
|
Peak Forward Voltage
|
|
| UFM(fr): |
Scheitelwert der Durchlassspannung durch Leitverzögerung
|
|---|
|
Peak Forward Recovery Voltage
|
|
| UFP: |
Durchlassspannung bei Durchlassstrom gleich dem maximalen Höckerstrom
|
|---|
|
Forward Voltage at which the Forward Current is equal to the maximum Peak-Point Current
|
|
| ufr: |
Durchlassspannung nach Leitverzögerung
|
|---|
|
Forward Recovery Voltage
|
|
| UG: |
Generatorspannung
|
|---|
|
Generator Voltage
|
|
| UG1S: |
Gate-1-Source-Spannung
|
|---|
|
Gate-No.1 to Source Voltage
|
|
| UG2S: |
Gate-2-Source-Spannung
|
|---|
|
Gate-No.2 to Source Voltage
|
|
| UGB: |
Gate-Bulk(Substrat)-Spannung
|
|---|
|
Gate-Bulk(Substrate) Voltage
|
|
| UGES: |
Gate-Emitter-Sperrspannung bei kurzgeschlossener Kollektor-Emitter-Strecke (UCE=0)
|
|---|
|
Gate-Emitter Cutoff Voltage - Collector Shorted to Emitter (UCE=0)
|
|
| UGRM: |
Spitzenwert der Gate-Sperrspannung
|
|---|
|
Peak Reverse Gate Voltage
|
|
| UGS: |
Gate-Source-Spannung
|
|---|
|
Gate-Source Voltage
|
|
| UGSO: |
Gate-Source-Sperrspannung bei offenem Drain (ID=0)
|
|---|
|
Gate-to-Source Cutoff Voltage at Open Drain (ID=0)
|
|
| UGS (ON): |
Gate-Source-Einschaltspannung
|
|---|
|
Gate-Source Turn-On Voltage
|
|
| UGS (OFF): |
Gate-Source-Spannung in Sperrrichtung, Gate-Source-Sperrspannung, Gate-Source-Abschnürspannung
|
|---|
|
Gate-Source Reverse Voltage, Gate-Source Cutoff Voltage, Gate-Source Pinch-Off Voltage
|
|
| UGS (PK): |
Gate-Source-Spitzenspannung - nicht periodisch
|
|---|
|
Peak Gate-Source Voltage - non repetetive
|
|
| UGSS: |
Gate-Source-Spannung bei kurzgeschlossener Drain-Source-Strecke (UDs=0)
|
|---|
|
Gate-Source Voltage - Drain Shorted to Source (UDs=0)
|
|
| UGS (TH): |
Gate-Schwellenspannung
|
|---|
|
Gate Threshold Voltage
|
|
UGS (TH)
/T: |
Temperaturkoeffizient der Gate-Schwellenspannung
|
|---|
|
Change in Gate Threshold Voltage with Temperature (Temperature Coefficient)
|
|
| UHF: |
Hochfrequenzspannung
|
|---|
|
High-Frequency Voltage
|
|
| Ui~: |
Eingangswechselspannung - Eingangspegel
|
|---|
|
AC Input Voltage - Input Level
|
|
| UiM~: |
Scheitelwert der Eingangswechselspannung
|
|---|
|
Peak AC Input Voltage
|
|
| Uin~: |
Eingangswechselspannung - Eingangspegel
|
|---|
|
AC Input Voltage - Input Level
|
|
| UIN (ON): |
Eingangsspannung für leitenden Schaltzustand
|
|---|
|
Input Voltage Level for On-State Switch
|
|
| Un~: | Rausch- oder Störspannung
|
|---|
|
Noise Voltage
|
|
| Uo: |
Leerlaufspannung eines beleuchteten Fotoelements –
Richtspannung - Mittelwert der Ausgangsspannung bei Gleichrichtung sinusförmiger Wechselspannungen
|
|---|
|
Open Circuit Voltage of an illuminated photovoltaic cell –
Average Output Voltage by a rectified sine-wave voltage
|
|
| Uo~: |
Ausgangswechselspannung - Ausgangspegel
|
|---|
|
AC Output Voltage - Output Level
|
|
Uo/
UiM~: |
Richtwirkungsgrad, Spannungsrichtverhältnis
|
|---|
|
Rectifying Efficiency
|
|
| Uosc~: |
Oszillatorwechselspannung
|
|---|
|
AC Oscillator Voltage - Oscillator Injection Voltage
|
|
Tension d'oscillation
|
|
|
|
| UP: |
Höckerspannung
|
|---|
|
Peak-Point Voltage
|
|
| UR: |
Sperrspannung - Dauersperrspannung
|
|---|
|
Reverse voltage - Continuous reverse voltage
|
|
| URAV: |
Mittlere Sperrspannung
|
|---|
|
Average Reverse Voltage
|
|
| URB(OFF): |
Spannung am Basis-Vorwiderstand im ausgeschalteten Zustand, Ausschaltspannung in Emitterschaltung
|
|---|
|
Base Series Resistor Terminal Off-State Voltage, Common-Emitter Switch-Off Voltage
|
|
| URB(ON): |
Spannung am Basis-Vorwiderstand im eingeschalteten Zustand, Einschaltspannung in Emitterschaltung
|
|---|
|
Base Series Resistor Terminal On-State Voltage, Common-Emitter Switch-On Voltage
|
|
| URM: |
Spitzensperrspannung - Scheitelwert der Sperrspannung
|
|---|
|
Peak Reverse Voltage
|
|
| URRM: |
Periodische Spitzensperrspannung
|
|---|
|
Repetitive Peak Reverse Voltage
|
|
| URROM: |
Periodische Spitzensperrspannung (offenes Gate)
|
|---|
|
Repetitive Peak Reverse Voltage (open gate)
|
|
| URSM: |
Stossspannung in Sperrrichtung für t<1s
|
|---|
|
Nonrepetitive Peak Reverse Voltage at t<1s
|
|
| URSOM: |
Stossspannung in Sperrrichtung (offenes Gate)
|
|---|
|
Nonrepetitive Peak Reverse Voltage (open gate)
|
|
| URW: |
Arbeitssperrspannung
|
|---|
|
Working reverse voltage
|
|
| URWM: |
Periodische Scheitelsperrspannung unter Betriebsbedinungen (ohne Transienten)
|
|---|
|
Repetitive Working Peak Reverse Voltage (excluding all transient voltages)
|
|
| USB: |
Source-Bulk(Substrat)-Spannung
|
|---|
|
Source-Bulk(Substrate) Voltage
|
|
| USG: |
Source-Gate-Spannung
|
|---|
|
Source-Gate Voltage
|
|
| USG1: |
Source-Gate-1-Sperrspannung
|
|---|
|
Source to Gate-No.1 Cutoff Voltage
|
|
| USG2: |
Source-Gate-2-Sperrspannung
|
|---|
|
Source to Gate-No.2 Cutoff Voltage
|
|
| USGO: |
Source-Gate-Spannung bei offenem Drain-Anschluss (ID=0)
|
|---|
|
Source-Gate Voltage at Open Drain (ID=0)
|
|
| USGS: |
Source-Gate-Spannung bei kurzgeschlossener Drain-Source-Strecke (UDS=0)
|
|---|
|
Source-Gate Voltage - Drain Shorted to Source (UDS=0)
|
|
| UTC: |
Spannung zwischen Anschlussdrähten und Gehäuse
|
|---|
|
Terminal-to-Case Voltage
|
|
| UV: |
Talspannung
|
|---|
|
Valley-Point Voltage
|
|
| Uz: |
Zener-Spannung - Durchbruchspannung
|
|---|
|
Zener Breakdown Voltage
|
|
| Uz: |
Toleranz der Zener-Spannung
|
|---|
|
Zener Voltage Tolerance
|
|
| Uz/T: |
Temperaturkoeffizient der Zener-Spannung
|
|---|
|
Zener Voltage Temperature Coefficient
|
|
| w: |
Nettogewicht - Masse
|
|---|
|
Net Weight - Mass
|
|
Poids net - masse
|
|
|
|
y11e:
yie: |
Kurzschluss-Eingangsadmittanz in Emitterschaltung
|
|---|
|
Small-Signal Common-Emitter Short-Circuit Input Admittance
|
|
|y12b|:
|yrb|: |
Betrag der Rückwärtssteilheit in Basisschaltung, wobei y12b = |y12b| x exp(j x  12b)
|
|---|
|
Magnitude of Common-Base Reverse Transfer Admittance, where y12b = |y12b| x exp(j x 12b)
|
|
y12e:
yre: |
Rückwärtssteilheit, Übertragungsadmittanz rückwärts, in Emitterschaltung
|
|---|
|
Small-Signal Common-Emitter Short-Circuit Reverse Transfer Admittance
|
|
|y12e|:
|yre|: |
Betrag der Rückwärtssteilheit in Emitterschaltung, wobei y12e = |y12e| x exp(j x 12e)
|
|---|
|
Magnitude of Common-Emitter Reverse Transfer Admittance, where y12e = |y12e| x exp(j x 12e)
|
|
y12g:
yrg: |
Rückwärtssteilheit in Gate-Schaltung
|
|---|
|
Common-Gate Reverse Transfer Admittance, Reverse Transadmittance
|
|
|y21b|:
|yfb|: |
Betrag der Vorwärtssteilheit in Basisschaltung, wobei y21b = |y21b| x exp(j x 21b)
|
|---|
|
Magnitude of Common-Base Forward Transfer Admittance, where y21b = |y21b| x exp(j x 21b)
|
|
y21e:
yfe: |
Vorwärtssteilheit, Übertragungsadmittanz vorwärts, in Emitterschaltung
|
|---|
|
Small-Signal Common-Emitter Short-Circuit Forward Transfer Admittance
|
|
|y21e|:
|yfe|: |
Betrag der Vorwärtssteilheit in Emitterschaltung, wobei y21e = |y21e| x exp(j x 21e)
|
|---|
|
Magnitude of Common-Emitter Forward Transfer Admittance, where y21e = |y21e| x exp(j x 21e)
|
|
y21g:
yfg: |
Vorwärtssteilheit in Gate-Schaltung
|
|---|
|
Common-Gate Forward Transfer Admittance, Forward Transadmittance
|
|
y21s:
yfs: |
Vorwärtssteilheit in Source-Schaltung
|
|---|
|
Common-Source Forward Transfer Admittance, Forward Transadmittance
|
|
|y21s|:
|yfs|: |
Betrag der Vorwärtssteilheit in Source-Schaltung, wobei y21s = |y21s| x exp(j x 21s)
|
|---|
|
Magnitude of Common-Source Forward Transfer Admittance, where y21s = |y21s| x exp(j x 21s)
|
|
y22e:
yoe: |
Kurzschluss-Ausgangsadmittanz in Emitterschaltung
|
|---|
|
Small-Signal Common-Emitter Short-Circuit Output Addmittance
|
|
y22s:
yos: |
Kurzschluss-Ausgangsadmittanz in Source-Schaltung
|
|---|
|
Small-Signal Common-Source Short-Circuit Output Addmittance
|
|
|y22s|:
|yos|: |
Ausgangsleitwert, Betrag der Kurzschluss-Ausgangsadmittanz in Source-Schaltung, wobei y22s = |y22s| x exp(j x 22s)
|
|---|
|
Output Conductance, Magnitude of Common-Source Short-Circuit Output Addmittance, where y22s = |y22s| x exp(j x 22s)
|
|
| YG: |
Generator-(Eingangs)admittanz
|
|---|
|
Generator (Input) Admittance
|
|
| YL: |
Last-(Ausgangs)admittanz
|
|---|
|
Load (Output) Admittance
|
|
| Z0: |
Eigenimpedanz der Übertragungsleitung
|
|---|
|
Characteristic Impedance of the Transmission Line
|
|
| ZG: |
Generator-Ausgangsimpedanz - Quellimpedanz
|
|---|
|
Generator Output Impedance - Source Impedance
|
|
| zi: |
Eingangsimpedanz
|
|---|
|
Incident (Input) Impedance
|
|
| ZIF: |
Zwischenfrequenz-Impedanz
|
|---|
|
Intermediate-Frequency Impedanz
|
|
| ZIN: |
Eingangsimpedanz
|
|---|
|
Input Impedance
|
|
|
|
| Zn1: |
Impedanz der Transformatorwicklung n1
|
|---|
|
Transformer Winding n1 Impedance
|
|
| Zn2: |
Impedanz der Transformatorwicklung n2
|
|---|
|
Transformer Winding n2 Impedance
|
|
| Zn3: |
Impedanz der Transformatorwicklung n3
|
|---|
|
Transformer Winding n3 Impedance
|
|
| ZOUT: |
Ausgangsimpedanz
|
|---|
|
Output Impedance
|
|
|
|
|zrb|:
|z12b|: |
Betrag der Rückwirkungsimpedanz in Basisschaltung
|
|---|
|
Magnitude of Common-Base Reverse Transfer Impedance
|
|
 : |
Wellenlänge
|
|---|
|
Wave Length
|
|
| H: |
Bereich der spektralen Empfindlichkeit (50%) - Spektraler Halbwertsbereich
|
|---|
|
Half-Sensitivity Spectral Response
|
|
| P: |
Wellenlänge der maximalen Empfindlichkeit - Wellenlänge der maximalen Emission
|
|---|
|
Wave Length of Maximum Sensitivity - Peak Wavelength
|
|
12b:
rb: |
Phasenwinkel der Rückwärtssteilheit in Basisschaltung, wobei y12b = |y12b| x exp(j x 12b)
|
|---|
|
Phase Angle of Common-Base Reverse Transfer Admittance, where y12b = |y12b| x exp(j x 12b)
|
|
12e:
re: |
Phasenwinkel der Rückwärtssteilheit in Emitterschaltung, wobei y12e = |y12e| x exp(j x 12e)
|
|---|
|
Phase Angle of Common-Emitter Reverse Transfer Admittance, where y12e = |y12e| x exp(j x 12e)
|
|
21b:
fb: |
Phasenwinkel der Vorwärtssteilheit in Basisschaltung, wobei y21b = |y21b| x exp(j x 21b)
|
|---|
|
Phase Angle of Common-Base Forward Transfer Admittance, where y21b = |y21b| x exp(j x 21b)
|
|
21e:
fe: |
Phasenwinkel der Vorwärtssteilheit in Emitterschaltung, wobei y21e = |y21e| x exp(j x 21e)
|
|---|
|
Phase Angle of Common-Emitter Forward Transfer Admittance, where y21e = |y21e| x exp(j x 21e)
|
|
| H: |
Abstrahlwinkel - Öffnungswinkel
|
|---|
|
Angle of Half Intensity - Angle of Half Sensitivity
|
|
 e: |
Strahlungsfluss - Strahlungsleistung
|
|---|
|
Radiant Flux - Radiant Power
|
|
 I2dt: |
Grenzlastintegral
|
|---|
|
Load Limit Integral
|
|
