Grenzwerte von selbstsperrenden Silizium-MOS-Feldeffekt-Leistungstransistoren - Silicon Enhancement-Mode Power MOS Field-Effect Transistor Maximum Ratings

KyteLabs InfoBase - Semiconductor Data

Last modified: 2016-11-21 (18646)

9	Grenzwerte Maximum Ratings

9.3	Feldeffekt-Transistoren Field-Effect Transistors

9.3.6	Selbstsperrende Silizium-MOS-Leistungstypen Silicon Enhancement-Mode Power MOS Devices (Power MOSFETs)

Alle Angaben sind absolute Grenzwerte, wenn nichts anderes angegeben ist. Die Spannungs- und Stromangaben sind als Betrag aufzufassen. Vorzeichen müssen entsprechend Betriebsart und Polarität des Halbleitermaterials gesetzt werden.

All values are absolute maximum ratings unless otherwise specified. Voltage and current ratings are given as magnitude, where the sign has to be set according to operating condition and polarity of the semiconductor material.

	VP0109 N5
PT: @TC:	15 25	W °C
UDSS: UDGS: UGS: ID: IDM:	90 90 ±20 ±1.0 ±1.2	V V V A A
RthJA: RthJC: TJ: TSTG: TL:	70 8.3 –55... +150 –55... +150 300	K/W K/W °C °C °C
Ref *?	Sup98	14452

	BST78
PT: @TC:	15 75	W °C
UDS: UGSO: ID: IDM:	450 20 0.75 1.5	V V A A
UDSM: @tP:	525 50	V µs
RthJA: RthJC: TJ: TSTG:	100 5.0 150 –65... +150	K/W K/W °C °C
Ref *?	Val83	15488

	2N6755	2N6756
PT: DP: ID: @TC:	75 0.6 12 25	75 0.6 14 25	W W/K A °C
PT: ID: @TC:	30 8.0 100	30 9.0 100	W A °C
UDS: UGS: IDM:	60 ±20 25	100 ±20 30	V V A
UDGR: @RGS:	60 1.0	100 1.0	V MOHM
RthJA: RthJC: RthCS: TJ: TSTG: TL:	30 1.67 0.1 –55... +150 –55... +150 300	30 1.67 0.1 –55... +150 –55... +150 300	K/W K/W K/W °C °C °C
Ref *?	Irf82		14462

	BUZ53A
PT: IDM: @TC:	75 10 25	W A °C
UDS: UGS:	1000 ±20	V V
UDGR: @RGS:	1000 20	V kOHM
ID: @TC:	2.6 30	A °C
RthJA: RthJC: TJ: TSTG:	35 1.6 –55... +150 –55... +150	K/W K/W °C °C
Ref *?	Sie87	14454

	BUZ23	BUZ25
PT: IDM: @TC:	78 40 25	78 75 25	W A °C
UDS: UGS:	100 ±20	100 ±20	V V
UDGR: @RGS:	100 20	100 20	V kOHM
ID: @TC:	10 85	19 35	A °C
RthJA: RthJC: TJ: TSTG:	35 1.6 –55... +150 –55... +150	35 1.6 –55... +150 –55... +150	K/W K/W °C °C
Ref *?	Sie87		14449

	BUZ35	BUZ34	BUZ63	BUZ44A	BUZ83A
PT: ID: IDM: @TC:	78 9.9 39 25	78 14 56 25	78 5.9 23 25	78 4.8 19 25	78 3.4 11 25	W A A °C
UDS: UGS:	200 ±20	200 ±20	400 ±20	500 ±20	800 ±20	V V
UDGR: @RGS:	200 20	200 20	400 20	500 20	800 20	V kOHM
RthJA: RthJC: TJ: TSTG:	35 1.6 –55... +150 –55... +150	35 1.6 –55... +150 –55... +150	35 1.6 –55... +150 –55... +150	35 1.6 –55... +150 –55... +150	35 1.6 –55... +150 –55... +150	K/W K/W °C °C
Ref *?	Sie87					14455

	BUZ83	BUZ53C
PT: IDM: @TC:	78 11 25	78 9.0 25	W A °C
UDS: UGS:	800 ±20	1000 ±20	V V
UDGR: @RGS:	800 20	1000 20	V kOHM
ID: @TC:	2.9 30	2.3 30	A °C
RthJA: RthJC: TJ: TSTG:	35 1.6 –55... +150 –55... +150	35 1.6 –55... +150 –55... +150	K/W K/W °C °C
Ref *?	Sie87		14455

	BUZ14	BUZ15	BUZ24
PT: ID: IDM: @TC:	125 39 155 25	125 45 180 25	125 32 125 25	W A A °C
UDS: UGS:	50 ±20	50 ±20	100 ±20	V V
UDGR: @RGS:	50 20	50 20	100 20	V kOHM
RthJA: RthJC: TJ: TSTG:	35 1.0 –55... +150 –55... +150	35 1.0 –55... +150 –55... +150	35 1.0 –55... +150 –55... +150	K/W K/W °C °C
Ref *?	Sie87			14449

	BUZ36	BUZ64	BUZ201
PT: IDM: @TC:	125 85 25	125 46 25	125 50 25	W A °C
UDS: UGS:	200 ±20	400 ±20	400 ±20	V V
UDGR: @RGS:	200 20	400 20	400 20	V kOHM
ID: @TC:	22 35	11.5 30	12.5 30	A °C
RthJA: RthJC: TJ: TSTG:	35 1.0 –55... +150 –55... +150	35 1.0 –55... +150 –55... +150	35 1.0 –55... +150 –55... +150	K/W K/W °C °C
Ref *?	Sie87			14456

	BUZ202	BUZ45	BUZ45A	BUZ210	BUZ211
PT: ID: IDM: @TC:	125 11.5 46 25	125 9.6 38 25	125 8.3 33 25	125 10.5 42 25	125 9.0 36 25	W A A °C
UDS: UGS:	400 ±20	500 ±20	500 ±20	500 ±20	500 ±20	V V
UDGR: @RGS:	400 20	500 20	500 20	500 20	500 20	V kOHM
RthJA: RthJC: TJ: TSTG:	35 1.0 –55... +150 –55... +150	35 1.0 –55... +150 –55... +150	35 1.0 –55... +150 –55... +150	35 1.0 –55... +150 –55... +150	35 1.0 –55... +150 –55... +150	K/W K/W °C °C
Ref *?	Sie87					14456

	BUZ45B	BUZ84A	BUZ220	BUZ221	BUZ230
PT: IDM: @TC:	125 40 25	125 24 25	125 26 25	125 22 25	125 22 25	W A °C
UDS: UGS:	500 ±20	800 ±20	800 ±20	800 ±20	1000 ±20	V V
UDGR: @RGS:	500 20	800 20	800 20	800 20	1000 20	V kOHM
ID: @TC:	10 35	6.0 30	6.5 30	5.5 35	5.5 30	A °C
RthJA: RthJC: TJ: TSTG:	35 1.0 –55... +150 –55... +150	35 1.0 –55... +150 –55... +150	35 1.0 –55... +150 –55... +150	35 1.0 –55... +150 –55... +150	35 1.0 –55... +150 –55... +150	K/W K/W °C °C
Ref *?	Sie87					14456

	BUZ94	BUZ84	BUZ54	BUZ54A	BUZ231
PT: ID: IDM: @TC:	125 7.8 31 25	125 5.3 21 25	125 5.1 20 25	125 4.5 18 25	125 4.9 19 25	W A A °C
UDS: UGS:	600 ±20	800 ±20	1000 ±20	1000 ±20	1000 ±20	V V
UDGR: @RGS:	600 20	800 20	1000 20	1000 20	1000 20	V kOHM
RthJA: RthJC: TJ: TSTG:	35 1.0 –55... +150 –55... +150	35 1.0 –55... +150 –55... +150	35 1.0 –55... +150 –55... +150	35 1.0 –55... +150 –55... +150	35 1.0 –55... +150 –55... +150	K/W K/W °C °C
Ref *?	Sie87					14456