KyteLabs InfoBase - Semiconductor Data

Last modified: 2020-05-10 (19912)

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1	Übersicht Overview

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1.2	Bipolare Transistoren Bipolar Transistors
1.2.6	Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT)

Die Spannungs- und Stromangaben sind als Betrag aufzufassen. Vorzeichen müssen entsprechend Betriebsart und Polarität des Halbleitermaterials gesetzt werden.

Voltage and current ratings are given as magnitude, where the sign has to be set according to operating condition and polarity of the semiconductor material.

2SH26 ... 2SH29   Pol. UCE IC PT Base w Art - Type = Anwendungen - Applications Ref *? Dim: V A W Case g 2SH26  N 600 10 50 L-3D6 TO-220AB   High Speed Power Switching Hit99 2SH27  N 600 15 50 L-3D6 TO-220AB   High Speed Power Switching Hit99 2SH28  N 600 20 60 L-3D6 TO-220AB   High Speed Power Switching Hit99 2SH29  N 600 30 75 L-3D6 TO-220AB   High Speed Power Switching Hit99 2SH30  N 600 50 100 L-3D7 TO-3P   High Speed Power Switching Hit99 2SH31  N 600 75 150 L-3D7 TO-3P   High Speed Power Switching Hit99   Pol. UCE IC PT Base w Art - Type = Anwendungen - Applications 19912 Dim: V A W Case g