KyteLabs InfoBase - Semiconductor Data Last modified: 2018-05-06 (19177)

2 Statische Kenndaten
Static Characteristics

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2.3 Feldeffekt-Transistoren
Field-Effect Transistors

2.3.5 Selbstleitende Silizium-MOS-Kleinsignaltypen im leitenden Zustand (eingeschaltet)
Silicon Depletion-Mode MOS Devices (On-State)

Die Spannungs- und Stromangaben sind als Betrag aufzufassen. Vorzeichen müssen entsprechend Betriebsart und Polarität des Halbleitermaterials gesetzt werden.

Voltage and current ratings are given as magnitude, where the sign has to be set according to operating condition and polarity of the semiconductor material.

R DS(ON) = 1.0 ... 10 OHM
Hoch - UpRunter - Down  Rate UGS
(TH)
@ID UDS Rate R DS
(ON)
@ID UGS @TJ Ref *?
VmAV OHMmAV °C
BSS149 
BSP149
MIN–1.81.03.0 MIN-500 25Inf99
TYP–1.2 TYP2.5
MAX–0.7 MAX3.5
  Rate UGS
(TH)
@ID UDS Rate R DS
(ON)
@ID UGS @TJ 19177
VmAV OHMmAV °C

R DS(ON) = 10 ... 100 OHM
Hoch - UpRunter - Down  Rate UGS
(TH)
@ID UDS Rate R DS
(ON)
@ID UGS @TJ Ref *?
VmAV OHMmAV °C
BSS129  TYP–1.01.03.0 TYP-140 25Sie87
MAX–0.7 MAX20
BSS129 
BSP129
MIN–1.81.03.0 MIN-140 25Inf99
TYP–1.2 TYP7.0
MAX–0.7 MAX20
BSS135  MIN–1.81.03.0 MIN-100 25Sie97
TYP–1.5 TYP40
MAX–0.7 MAX60
BSS229  MIN–1.81.03.0 MIN-140 25Inf99
TYP–1.4 TYP75
MAX–0.7 MAX100
  Rate UGS
(TH)
@ID UDS Rate R DS
(ON)
@ID UGS @TJ 19177
VmAV OHMmAV °C

2.3.7 Selbstleitende Silizium-MOS-Leistungstypen im leitenden Zustand (eingeschaltet)
Silicon Depletion-Mode MOS Power Devices (On-State)

Die Spannungs- und Stromangaben sind als Betrag aufzufassen. Vorzeichen müssen entsprechend Betriebsart und Polarität des Halbleitermaterials gesetzt werden.

Voltage and current ratings are given as magnitude, where the sign has to be set according to operating condition and polarity of the semiconductor material.

R DS(ON) = 20 ... 120 OHM
Hoch - UpRunter - Down  Rate IDSS @UDS Rate R DS
(ON)
@ID UGS @TJ tP tP/T Ref *?
AV OHMmAV °Cµs%
IXTP02N50D  TYP0.2525 TYP20500 253002.0Ixy01
MAX- MAX30
IXTP01N100D  TYP0.2550 TYP20900 253002.0Ixy01
MAX- MAX110
  Rate ID @UDS Rate R DS
(ON)
@ID UGS @TJ tP tP/T 14448
AV OHMmAV °Cµs%

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